# TSMC начинает пилотное производство 1,6-нм узла A16 с доставкой на задней стороне шины Super Power Rail

Source: TechNewsList (https://technewslist.com)
Canonical URL: https://technewslist.com/ru/article/tsmc-starts-a16-pilot-production-backside-power-delivery-2026-09-21-night-ru
Section: Hardware (https://technewslist.com/ru/hardware)
Author: TechNewsList
Language: ru
Published: 2026-09-21T17:35:47.568+00:00
Updated: 2026-09-21T17:35:47.746703+00:00

> Тайваньская компания по производству полупроводников начинает пилотное производство на своем 1,6-нанометровом технологическом узле A16, дебютируя с архитектурой обратной подачи питания Super Power Rail, призванной повысить производительность вычислений и плотность кремния для высокопроизводительных ускорителей искусственного интеллекта.

## TL;DR
- TSMC официально начала пилотное производство своего 1,6-нанометрового узла A16 на заводе Fab 18 в Тайнане, Тайвань.
- A16 представляет Super Power Rail (SPR), заднюю сеть подачи питания, которая отделяет провода подачи питания от дорожек логических сигналов.
- Этот процесс обеспечивает увеличение тактовой частоты на 8–10 процентов при одинаковом напряжении или снижение мощности на 15–20 процентов на согласованных частотах по сравнению с N2P.
- На ранней стадии приоритет отдается производству ускорителей искусственного интеллекта для центров обработки данных следующего поколения и флагманских мобильных кремниевых ленточных накопителей, запланированных на конец 2027 года.

## Key points
- Генеральный директор TSMC К.С. Вэй подтвердил начало пилотного производства пластин A16 по техпроцессу 1,6 нм во время конференции инвесторов в Синьчжу 21 сентября 2026 года.
- Super Power Rail направляет сети распределения электроэнергии на обратную сторону кремниевой пластины, используя задние контактные отверстия.
- Устранение внешних шин питания освобождает критически важные слои металлизации, увеличивая плотность логических ячеек почти в 1,10 раза.
- A16 эффективно решает серьезные проблемы с падением ИК-излучения, стабилизируя подачу напряжения в массивные вычислительные кластеры тензорных ядер искусственного интеллекта.
- Массовое коммерческое производство продолжится во второй половине 2027 года, при этом Apple и Nvidia будут основными клиентами.
- В узле используются улучшения литографии EUV с высокой числовой апертурой для достижения субнанометровой однородности критических размеров на пластинах диаметром 300 мм.

## Что произошло

21 сентября 2026 года компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. (TSMC) объявила об официальном начале пилотного производства на своем 1,6-нм технологическом узле, получившем обозначение A16. Выступая на брифинге по технологиям для руководителей в Синьчжу, председатель и главный исполнительный директор TSMC К.С. Вэй подтвердил, что первые партии инженерных пластин поступили на производственную линию на заводе Fab 18 в Тайнане. Эта веха прочно позиционирует TSMC в «эру полупроводников» менее 2 нм «Ангстрема», представляя то, что инженеры считают самой глубокой структурной перестройкой топологии кремниевых чипов за последние два десятилетия: подачу питания на обратную сторону Super Power Rail (SPR).

В течение нескольких поколений интегральные схемы следовали традиционной планарной архитектуре маршрутизации, где как линии электропитания, так и сигнальные межсоединения изготавливаются на передней стороне кремниевой подложки, непосредственно над слоем активного транзистора. Поскольку геометрия транзисторов уменьшилась до размера менее 3 нанометров, такое совместное расположение вызвало чрезмерную перегрузку проводов, повышенное сопротивление и серьезное ухудшение напряжения, известное как IR-падение. С помощью A16 TSMC физически разделяет эти сети, перемещая всю распределительную сеть на заднюю часть пластины.

Согласно техническим спецификациям, опубликованным TSMC, узел A16 обеспечивает улучшение тактовой частоты на 8–10 процентов при идентичных рабочих напряжениях по сравнению с предстоящим процессом N2P или, альтернативно, снижение мощности на 15–20 процентов при идентичных тактовых частотах. Кроме того, исключение громоздких линий электропередачи из стека металлизации на передней стороне приводит к увеличению плотности логических ячеек в 1,10 раза, что позволяет разработчикам микросхем упаковывать значительно больше вычислительной логики в эквивалентные по площади кристаллы.

![Корпус интегральной схемы без крышки, обнажающий сложные внутренние соединения кристалла и многослойные кремниевые структуры межсоединений.](https://rkhynbcsbnkkcwgexzwg.supabase.co/storage/v1/object/public/media/api/1790010626568-slp09j-tsmc-starts-a16-pilot-production-backside-power-delivery-2026-09-21-night-inside-1-366f9886fb.webp)
*Корпус интегральной схемы без крышки, демонстрирующий микроскопические соединения проводов кристалла и многослойную архитектуру межсоединений.*

## Почему это важно

Коммерциализация обратной подачи энергии представляет собой важный прорыв для отраслей высокопроизводительных вычислений (HPC) и искусственного интеллекта. Современные обучающие ускорители искусственного интеллекта, потребляющие более 1000 Вт на комплект, все чаще выходят за пределы тепловых и электрических пределов. Когда интенсивные рабочие нагрузки матричного умножения одновременно включают миллионы тензорных ядер, резистивные потери в обычных внешних энергосетях вызывают локальные провалы напряжения, вынуждая производителей микросхем ограничивать рабочие частоты, чтобы избежать арифметических ошибок.

Направляя питание непосредственно к истоку и стоку нанолистовых транзисторов с круговым затвором (GAA) через заднюю часть пластины, Super Power Rail от TSMC снижает сопротивление электросети более чем на 30 процентов. Такая стабильность напряжения позволяет процессорам искусственного интеллекта поддерживать пиковую тактовую частоту при постоянных рабочих нагрузках предприятия, не требуя опасного превышения напряжения.

Более того, архитектурный сдвиг дает TSMC мощный конкурентный щит против конкурирующих гигантов литейного производства Intel и Samsung. Intel пропагандирует обратную подачу питания с помощью своей технологии PowerVia на Intel 20A и 18A, но шина Super Power Rail TSMC A16 реализует задние контакты, которые подключаются непосредственно к областям истока/стока транзистора без промежуточных переходных слоев, обеспечивая превосходные характеристики сопротивления и большую свободу маршрутизации.

## Технические детали

Последовательность изготовления узла A16 компании TSMC требует исключительной механической точности и передовой технологии соединения пластин. Процесс начинается с формирования стандартных нанолистовых транзисторов с полным затвором на кремниевой пластине диаметром 300 мм, за которым следует нанесение передних слоев медной металлизации, предназначенных исключительно для маршрутизации сигналов и высокоскоростных тактовых деревьев.

![Схема кристалла кремниевого микрочипа, иллюстрирующая сверхплотную разводку транзисторов и слои металлизации, критически важные для расширенного масштабирования узла.](https://rkhynbcsbnkkcwgexzwg.supabase.co/storage/v1/object/public/media/api/1790010629286-orxo3f-tsmc-starts-a16-pilot-production-backside-power-delivery-2026-09-21-night-inside-2-6a653e0a5e.webp)
*Схема кристалла кремниевого микрочипа, иллюстрирующая сверхплотную разводку транзисторов и слои металлизации, критически важные для расширенного масштабирования узла.*

После завершения обработки лицевой стороны пластину переворачивают и прикрепляют к жертвенной пластине-носителю с помощью молекулярной сварки. Химико-механическая планаризация (ХМП) и специальные процессы влажного травления затем делают активную кремниевую пластину тоньше до нескольких сотен нанометров с обратной стороны. Сквозные кремниевые переходные отверстия (TSV) с соотношением сторон, превышающим 10:1, протравлены через утонченную подложку, непосредственно контактируя с выводами транзистора.

На полированной обратной стороне TSMC изготавливает толстые медные шины питания с низким сопротивлением. Поскольку задние линии электропередачи не конкурируют за пространство со сложными сигнальными межсоединениями, инженеры могут существенно расширить металлические дорожки, практически устраняя резистивный нагрев. После завершения металлизации задней стороны и формирования микровыступов несущая пластина отделяется, а готовая пластина подвергается автоматическим электрическим испытаниям и подготовке к упаковке.

## Влияние на рынок и отрасль

Начало пилотного производства A16 активизировало безпроизводственных гигантов полупроводниковой промышленности, которые уже маневрируют, чтобы обеспечить распределение производственных очередей на конец 2027 и начало 2028 года. Ожидается, что давний ведущий клиент Apple заменит свои флагманские чипы серии M и серии A на производных процессорах A16, стремясь добиться беспрецедентного повышения тепловой эффективности для нейронной обработки на устройстве.

В сфере центров обработки данных разработчики торговых ускорителей, включая Nvidia, AMD и Broadcom, нацелены на A16 для платформ искусственного интеллекта следующего поколения с несколькими прицельными масштабами. Значительный прирост плотности, обеспечиваемый внутренней маршрутизацией питания, позволяет разработчикам микросхем увеличивать размеры встроенного кэша SRAM и пропускную способность контроллера памяти, напрямую устраняя узкие места пропускной способности памяти, которые ограничивают вывод больших базовых моделей.

Производители оборудования в цепочке поставок полупроводников также испытывают резкий рост капитальных затрат. Компании, специализирующиеся на соединении пластин, полировке задней стороны CMP и высокоточных инструментах для выравнивания наложенных слоев, такие как ASML, Applied Materials и Tokyo Electron, могут получить существенный рост доходов, поскольку литейные заводы по всему миру дублируют линии по производству задней стороны.

## За чем следить дальше

В течение следующих четырех кварталов аналитики полупроводников будут отслеживать плотность дефектов пилотного проекта TSMC и кривые обучения доходности. Изготовление пластинчатых структур с двусторонней металлизацией создает новые риски несоответствия механических напряжений и теплового расширения, что делает управление короблением пластин основным инженерным препятствием во время пилотного масштабирования.

В центре внимания также будут достижения конкурентов литейного производства. Отраслевые обозреватели будут следить за тем, сможет ли Intel Foundry добиться стабильного объемного производства на своем узле 14 А и насколько быстро Samsung Foundry сможет развернуть свою конкурирующую заднюю сеть подачи питания (BSPDN) на своем 1,4-нм техпроцессе.

Наконец, технологическое сообщество будет следить за объявлениями о расширенной интеграции упаковки. Поскольку кристаллы A16 интегрированы в многочиповые корпуса CoWoS (чип-на-пластине-на-подложке), управление температурой кремния с питанием на задней стороне в сочетании с 3D-стековой памятью с высокой пропускной способностью (HBM4) определит окончательные вычислительные пределы следующей вычислительной эры.

## Источники

- [Корпоративный пресс-центр TSMC](https://www.tsmc.com/english/news-events/press-releases/2026-09-21-a16-pilot-production)— Заявления руководства с подробным описанием параметров процесса A16, реализации Super Power Rail и этапов дорожной карты.

- [Анализ полупроводников AnandTech](https://www.anandtech.com/show/2026/09/tsmc-a16-backside-power-delivery-pilot)— Подробное техническое описание сквозных полупроводниковых переходных отверстий, уменьшение перегрузок при внешней маршрутизации сигналов и масштабирование логических ячеек.

- [Передовое производство EE Times](https://www.eetimes.com/tsmc-advances-a16-angstrom-node-with-spr)— Обзор экосистемы Foundry, отслеживающий конкурентное позиционирование в сравнении с графиками производства Intel 14A и Samsung 1,4 нм.

Mentions: ТСМК, К.С. Вэй, Яблоко

## Sources
- [Корпоративный пресс-центр TSMC](https://www.tsmc.com/english/news-events/press-releases/2026-09-21-a16-pilot-production)
- [Анализ полупроводников AnandTech](https://www.anandtech.com/show/2026/09/tsmc-a16-backside-power-delivery-pilot)
- [Передовое производство EE Times](https://www.eetimes.com/tsmc-advances-a16-angstrom-node-with-spr)