# Samsung прогнозирует, что глобальный дефицит DRAM и HBM сохранится до 2028 года

Source: TechNewsList (https://technewslist.com)
Canonical URL: https://technewslist.com/ru/article/samsung-forecasts-global-memory-ram-shortage-extending-to-2028-2026-10-29-nig-ru
Section: Hardware (https://technewslist.com/ru/hardware)
Author: TechNewsList
Language: ru
Published: 2026-10-29T18:19:50.781+00:00
Updated: 2026-10-29T18:19:50.784164+00:00

> Samsung Electronics предупредил отраслевых партнеров, что серьезная глобальная нехватка DRAM и High Bandwidth Memory сохранится как минимум до 2028 года из-за спроса на ИИ.

## TL;DR
- Samsung Electronics проинформировал партнеров по оборудованию, что глобальный дефицит поставок DRAM и HBM продлится как минимум до 2028 года.
- Производители полупроводников переводят производительность передовых кремниевых пластин на многостековые High Bandwidth Memory для ускорителей искусственного интеллекта.
- Модули корпоративных серверов и оперативная память потребительских ПК сталкиваются с серьезной нехваткой поставок и ростом затрат на закупки.

## Key points
- Samsung Исполнительное руководство Device Solutions прогнозирует постоянную нехватку памяти в течение четырех календарных лет.
- Беспрецедентные капитальные затраты на гипермасштабные центры обработки данных поглотили почти все запланированные упаковочные линии HBM3E и HBM4.
- Перераспределение площади чистых помещений за счет стандартной памяти DDR5 привело к тому, что цены контрактов на спотовом рынке выросли более чем на 60 процентов.
- OEM-производители бытовой электроники сталкиваются с увеличением сроков производства и снижением рентабельности продуктовых линеек мобильных устройств и ПК.
- Крупные инвестиции в новые полупроводниковые производства в Южной Корее и США не достигнут объемов производства до 2028 года.

## Что произошло

Samsung Electronics опубликовал мрачный многолетний прогноз для глобальных технологических партнеров по аппаратному обеспечению, предупредив, что острая нехватка динамической памяти с произвольным доступом (DRAM) и специализированной памяти High Bandwidth Memory (HBM) сохранится как минимум до 2028 года. Прогноз, озвученный на закрытых саммитах по цепочке поставок в Сеуле, подчеркивает структурный дефицит, возникший в результате того, что производители микросхем памяти перенаправляют беспрецедентные производственные мощности на гипермасштабируемую инфраструктуру искусственного интеллекта.

![Усовершенствованное чистое помещение для производства полупроводников с роботизированной подвесной направляющей, по которой перемещаются блоки кремниевых пластин.](https://technewslist.com/storage/v1/object/public/media/api/1793297176587-cclg9t-samsung-forecasts-global-memory-ram-shortage-extending-to-2028-2026-10-29-night-inside-1-4faa9bfa2d.webp)
*Чистый цех по производству полупроводников, где расположены линии фотолитографии для упаковки с памятью.*

Согласно данным брифинга, предоставленным производителям оригинального корпоративного оборудования (OEM), полупроводниковое подразделение Samsung ожидает, что спрос на пластины памяти превысит мировые поставки чистых помещений как в сегменте стандартных серверов DDR5, так и в архитектурах HBM следующего поколения. Несмотря на миллиарды долларов запланированных капитальных затрат в Южной Корее и Северной Америке, руководители Samsung предупредили, что сроки физического строительства, отставание от инструментов для фотолитографии в крайнем ультрафиолете (EUV) и объемы производства упаковки не позволят значительному сокращению чистых поставок в течение следующих тридцати шести месяцев.

Это заявление подтверждает растущие опасения отрасли по поводу того, что бум ИИ-вычислений вызывает самое продолжительное непрерывное сокращение поставок памяти в современной истории полупроводников.

## Почему это важно

Полупроводники памяти представляют собой фундаментальное узкое место в производительности современных вычислительных задач. Хотя графические процессоры и специальные тензорные ускорители привлекли внимание заголовков новостей, эти процессоры не могут функционировать без десятков гигабайт сверхбыстрой памяти, расположенных вплотную к их кремниевым переходникам.

Чтобы выполнить массовые заказы на закупки от облачных гиперскейлеров, создающих передовые кластеры искусственного интеллекта, Samsung, SK Hynix и Micron активно перераспределили передовые линии по производству кремния в сторону 12- и 16-слойных стеков HBM. Однако производство одной пластины HBM требует примерно в три раза больше площади необработанной кремниевой пластины, чем обычная память DDR5, из-за межсоединений сквозных кремниевых переходов (TSV) и структур рассеивания тепла.

Эта структурная каннибализация привела к голоданию традиционной вычислительной экосистемы. Производители серверов, создающие корпоративную облачную инфраструктуру, производители персональных компьютеров, собирающие потребительские ноутбуки, и производители смартфонов теперь конкурируют за жестко ограниченный набор стандартных кристаллов памяти, что приводит к росту контрактных цен и увеличению сроков поставок поставщикам по всему миру.

## Технические детали

Технические факторы, способствующие продолжительному прогнозу дефицита Samsung, сосредоточены на узких местах современной кремниевой упаковки и сложности литографии:

![График финансовых свечей, иллюстрирующий спотовые цены на волатильные компоненты и тенденции рыночного предложения.](https://technewslist.com/storage/v1/object/public/media/api/1793297177029-oayro9-samsung-forecasts-global-memory-ram-shortage-extending-to-2028-2026-10-29-night-inside-2-4cc25f4aa4.webp)
*Цены контрактов на корпоративную память отражают устойчивый многолетний дефицит поставок компонентов.*

1. **Множители кремниевого следа**. Для изготовления памяти HBM3E и следующего поколения HBM4 требуются специализированные кристаллы базовой логики и вертикальная трехмерная укладка, что снижает общий объем производства пластин для стандартных модулей DDR5 и LPDDR6 более чем на 35 процентов на линию для чистых помещений.
2. **Увеличенная производительность упаковки**. Укладка шестнадцати штампов памяти с точностью до микрометра с использованием передовых технологий микровыступа и гибридного склеивания создает проблемы с производительностью, требуя от производителей памяти выделять значительные площади чистых помещений для станций контроля качества и доработок.
3. **Сроки выполнения EUV-литографии**. Для расширения линий по производству DRAM с нормой менее 10 нм требуются машины для EUV-литографии с высокой числовой апертурой, производимые исключительно ASML, которые по-прежнему подвержены многолетним задержкам на заводах.
4. **Тепловые и энергетические ограничения**. Серверные модули высокой плотности требуют новых конструкций стабилизаторов напряжения и распределителей тепла для управления локализованным рассеиванием тепла, что еще больше замедляет производительность конечной упаковки.

Поскольку эти производственные проблемы не могут быть решены посредством оптимизации программного обеспечения или временных сверхурочных смен, расширение совокупных мощностей по производству полупроводников требует строительства совершенно новых предприятий по производству полупроводников с нуля.

## Влияние на рынок и отрасль

Последствия многолетнего прогноза дефицита Samsung отражаются на всей сфере аппаратных технологий. ИТ-отделы предприятий уже пересматривают бюджетные ассигнования по мере роста цен на серверную оперативную память, что вынуждает операторов корпоративных центров обработки данных продлевать эксплуатационные жизненные циклы существующих вычислительных кластеров, а не закупать новые парки оборудования.

В сфере бытовой электроники производители устройств сталкиваются с болезненной инфляцией спецификаций материалов. Производители ПК и OEM-производители мобильных устройств, которые ранее планировали установить 32 ГБ и 64 ГБ ОЗУ в качестве стандартных базовых конфигураций для продуктов премиум-класса, вынуждены сохранять уровни 16 ГБ или существенно повышать цены для конечных потребителей. В течение периода 2026–2028 годов рентабельность аппаратного обеспечения будет постоянно сокращаться.

В то же время устойчивая ценовая власть, которой пользуются производители памяти, генерирует рекордный свободный денежный поток для Samsung и ее региональных аналогов. Эти доходы реинвестируются в масштабное расширение литейного производства, что приводит к увеличению расходов на капитальные товары в секторах полупроводникового оборудования и материалов.

## За чем следить дальше

По мере углубления нехватки памяти отраслевые аналитики отслеживают несколько важных операционных и коммерческих вех:

- **Сроки гибридного соединения HBM4**: прогресс в переходе Samsung на гибридное соединение для коммерческого массового производства HBM4 запланирован на конец 2026 года.
- **Переговоры по контрактной цене**: ежеквартальные корректировки контрактных цен между поставщиками облачных услуг уровня 1 и корейскими производителями памяти для модулей DIMM корпоративных серверов DDR5.
- **Основные этапы строительства**: обновленная информация о ходе строительства линии 4 Пхёнтэк Samsung и комплексов по производству полупроводников в Тейлоре, штат Техас, по мере завершения строительства корпуса.
- **Уровень потребительского оборудования**: объявят ли ведущие производители смартфонов и ноутбуков о повышении розничных цен или понижении базовых характеристик оперативной памяти на предстоящих презентациях оборудования.

## Источники

Данные о цепочке поставок, прогнозы компаний и анализ отрасли производства оборудования, представленные в этом отчете, подкреплены первичными отчетами о технологиях:

- **The Verge Hardware Desk**: репортаж Шона Холлистера, раскрывающий внутренние прогнозы Samsung, предполагающие глобальную нехватку оперативной памяти и HBM до 2028 года.
- **The Verge Device Reporting**: анализ проблем в цепочке поставок бытовой электроники и проблем интеграции аппаратных компонентов.
- **Охват инфраструктуры Ars Technica**: исследование глобальных капитальных затрат на технологическую инфраструктуру, строительство центров обработки данных и инвестиций в производство полупроводников.

Mentions: Samsung, Samsung Electronics, High Bandwidth Memory, DRAM Supply, Semiconductor Fabs, Hyperscale Infrastructure

## Sources
- [Аппаратный стол Verge](https://www.theverge.com/tech/1022242/samsungs-expecting-the-ram-shortage-to-last-until-at-least-2028)
- [Отчеты об устройствах Verge](https://www.theverge.com/tech/1020403/everything-announced-at-amazons-october-2026-hardware-launch)
- [Покрытие инфраструктуры Ars Technica](https://arstechnica.com/gadgets/2026/10/as-us-ties-fray-europe-plans-first-undersea-cable-link-to-greenland/)