# Silicon Carbide: ON Semiconductor: ТОКЕН14Х Отменил прогноз на 2 млрд. долл. США

Source: TechNewsList (https://technewslist.com)
Canonical URL: https://technewslist.com/ru/article/on-semiconductor-cancels-two-billion-dollar-silicon-carbid-2026-11-08-morning-ru
Section: Hardware (https://technewslist.com/ru/hardware)
Author: TechNewsList
Language: ru
Published: 2026-11-08T06:23:45.383+00:00
Updated: 2026-11-08T06:23:45.437813+00:00

> Silicon Carbide: Ведущий поставщик автомобильных микросхем ON Semiconductor списал планы производства двухмиллиардного карбида кремния на Czech Republic, сократив капитальные расходы в качестве перекалибровки электромобилей.

## TL;DR
- Silicon Carbide: ON Semiconductor отменила прогнозируемое увеличение производства карбида кремния на 2 миллиарда долларов в Roznov, Czech Republic.
- Чипсакер заявил, что существующие производственные операции и нынешняя местная рабочая сила будут продолжаться без каких-либо сбоев.
- Эта отмена свидетельствует о более широком сокращении капитальных расходов по всей цепочке поставок автомобильных полупроводников.
- Автопроизводители, сокращающие целевые показатели производства электромобилей в ближайшем будущем, замедлили спрос на широкополосные электрические чипы.

## Key points
- Silicon Carbide: Запланированный многомиллиардный чешский объект предназначался для того, чтобы служить флагманским европейским центром по изготовлению карбидных карбидов кремния.
- Изготовители автомобильных деталей расширяют жизненный цикл гибридных силовых агрегатов, снижая непосредственный спрос на дорогостоящие инверторы SIC.
- ON Semiconductor сохраняет ликвидность балансового баланса за счет оптимизации возможностей в рамках существующих североамериканских и азиатских фазов.
- Это решение следует за аналогичной корректировкой пропускной способности со стороны хиппи, что свидетельствует о прекращении спекулятивных фальсификаций.
- Silicon Carbide: Карбид кремния по-прежнему имеет жизненно важное значение для быстрой зарядки постоянного тока с высоким напряжением, однако увеличение пропускной способности в ближайшем будущем превысило текущий уровень поглощения.

## Что произошло

Изготовитель глобальных микросхем для производства электроэнергии и зондирования ON Semiconductor официально аннулировал планы по расширению производства двухмиллиардного карбида кремния (SiC) ваферного завода в Розновской подушке Радхостем, Czech Republic. Проект с использованием нескольких миллиардов долларов, который первоначально был представлен в качестве краеугольного камня европейских инвестиций в производство полупроводниковых батарей с высоким напряжением для электромобилей и систем возобновляемых источников энергии, был снят с рассмотрения после всеобъемлющего обзора глобальной производственной мощности и траекторий спроса на автомобили.

Представители корпораций подтвердили, что, несмотря на отказ от осуществления крупномасштабного проекта капитальных расходов, нынешние операции по обработке ваферов и нынешний уровень занятости на созданном объекте в Рознове будут продолжаться непрерывно.

![High-resolution die photography of a semiconductor integrated circuit showcasing microscopic architecture.](https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/f/fc/PIC16C505-HD.jpg)
*High-resolution die photography of a semiconductor integrated circuit showcasing microscopic architecture.*

Аннулирование представляет собой одно из крупнейших сокращений промышленного полупроводника в Европе в этом году, что негативно сказывается на региональных устремлениях в соответствии с Законом о европейских чипах, который направлен на удвоение глобальной доли континента в производстве чипов до 20% к 2030 году благодаря щедрым государственным субсидиям и ускоренной системе выдачи разрешений.

## Почему это важно

Силиконовый карбид уже давно считается основным широкополосным полупроводниковым материалом, необходимым для революции современной электроники. По сравнению с унаследованными транзисторами полевого воздействия с кремниевой мощностью на металлокислый полупроводник (МОСФЕТ) и биполярные транзисторы с изолированным приводом (ИГБТ), карбидные устройства с кремниевы работают при значительно более высоком напряжении, переключаются на значительно более быстрые частоты и рассеиваются гораздо меньше тепловой энергии. В электромобилях замена силиконовых карбидных инвертеров на тяговые приводные устройства позволяет повысить эффективность, что напрямую приводит к увеличению диапазона движения транспортных средств и снижению веса аккумуляторной батареи.

Однако синтезирование кристаллов карбида кремния с высокой чистотой и производство без дефектов восьмидюймовых субстратов является исключительно капиталоемкой и химически сложной производственной деятельностью.

По мере того, как в 2025 и 2026 годах кривые внедрения аккумуляторных электромобилей замедлились, эти агрессивные прогнозы объема не материализовались прогнозируемыми темпами.

## Технические детали

В то время как традиционные кремниевые слитки выращиваются с использованием зрелого метода Czochralsky, при котором расплавленный кремний при температуре около 1400 градусов по Цельсию в течение нескольких дней вытягивается в однородные цилиндрические булочки, при атмосферном давлении не может быть расплавлен карбид кремния, вместо этого производители кристаллов должны использовать методы физического переноса паров (PVT) или подлимации при экстремальных температурах, превышающих 2200 градусов по Цельсию, в специальных вакуумных печах графитов.

При физическом переносе пара порошок из кремния и углеродного источника поднимается и медленно осаждается на семенной кристалл в течение нескольких недель, что приводит к относительно коротким кристаллическим пакам, подверженным кристаллическим дефектам, микропроцессам и изменениям в базовой плоскости.

![Detailed microphotograph of semiconductor silicon die showing internal circuit layout.](https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/d/d0/PIC12C508-HD.jpg)
*Detailed microphotograph of semiconductor silicon die showing internal circuit layout.*

Кроме того, глобальная полупроводниковая промышленность активно осуществляет дорогостоящий технический переход от 150-метрового (150-мм) до 200-мм карбидных карбидов кремния. В то время как 8-дюймовые субстраты существенно увеличивают число пригодных для использования смертей на вафре и совершенствуют общую экономику предприятий, оборудование для химико-механического планирования (КС/СС) и реакторы для эпитаксического осаждения, необходимые для обработки более крупных, более хрупких вафров, требуют миллиардов долларов в виде первоначальных капиталовложений, требующих гарантированного использования на заводе большого объема для амортизации.

## Влияние на рынок и отрасль

Отмена ON Semiconductor реверберируется по более широкому конкурентному энергетическому полупроводнику, который включает в себя крупных конкурентов, таких как STMicroElectronics, Wolfspeed, Infineon Technologies и Rohm Semiconductor. Wolfspeed и другие производители SIC-чистых игр также столкнулись с серьезным напряжением балансовых балансов и фабричным давлением консолидации, поскольку цены на вафер упали в условиях растущего внутреннего литейного потенциала Китая.

Китайские предприятия по производству полупроводников, которые в значительной степени субсидируются национальными фондами промышленного развития, ускорили ввод в эксплуатацию отечественных кремниевых и восьмидюймовых карбидов, существенно понизив глобальные цены на стандартные промышленные энергосистемы MOSFET. В то время как автомобильные компании по производству электроэнергии придерживаются жестких квалификационных стандартов, которые благоприятствуют западным поставщикам, появление менее дорогостоящих альтернатив привело к сокращению ценовых премий, ранее предписанных западными киперами.

Для европейских промышленных политиков потеря расширения Рознова подчеркивает ограничения правительственных стимулов к субсидированию в случае снижения макроэкономического коммерческого спроса. Без гарантированных многолетних обязательств по объему со стороны региональных европейских производителей оригинального автомобильного оборудования глобальные полупроводниковые корпорации будут неизменно уделять приоритетное внимание дисциплине капитала, а не геополитическим целям локализации.

## За чем следить дальше

Инвесторы и планировщики производственно-сбытовых цепочек будут следить за предстоящей конференцией ON Semiconductor по доходам, которая состоится в четвертом квартале, запрашивая дополнительную информацию о пересмотренных руководящих указаниях по капитальным расходам на 2027 год. Промышленные аналитики проанализируют вопрос о том, планирует ли компания дальнейшую консолидацию или структурную переориентацию в сторону партнерства по производству фаб-литов для зрелых категорий продукции.

По мере того, как глобальные дорожные карты электрификации будут перестраиваться в гибридные архитектуры и химики следующего поколения, электропроводительная полупроводниковая промышленность будет продолжать перекалибровать свой физический след производства в соответствии с реалистичными сроками потребления.

## Источники

- [Briefs News](https://www.briefs.co/news/on-semiconductor-cancels-up-to-2-billion-czech-expansion/) - Сообщая о том, что ON Semiconductor аннулирует прогнозируемый рост карбида силикона на 2 миллиарда долларов в Рознове, Czech Republic.
- [ON Semiconductor Corporate Profile](https://en.wikipedia.org/wiki/Onsemi) - Корпоративная история, производственный отпечаток и портфель продуктов полупроводникового производства для Онсеми.
- [Silicon Carbide Materials Science](https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_carbide) - Физические свойства, высоковольтное сопротивление распаду и электрическая эффективность широкополосных ваферов SIC.

* Electric Vehicles

* Semiconductors

Mentions: ON Semiconductor, Silicon Carbide, Czech Republic, Electric Vehicles, Semiconductor Manufacturing

## Sources
- [Briefs News](https://www.briefs.co/news/on-semiconductor-cancels-up-to-2-billion-czech-expansion/)
- [ON Semiconductor Corporate Profile](https://en.wikipedia.org/wiki/Onsemi)
- [Silicon Carbide Materials Science](https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_carbide)