# Партнерство Applied Materials и KIOXIA в центре EPIC для ускорения 3D-архитектуры памяти с использованием искусственного интеллекта

Source: TechNewsList (https://technewslist.com)
Canonical URL: https://technewslist.com/ru/article/applied-materials-kioxia-epic-center-3d-memory-2026-09-30-night-ru
Section: Hardware (https://technewslist.com/ru/hardware)
Author: TechNewsList
Language: ru
Published: 2026-09-30T17:29:59.631+00:00
Updated: 2026-09-30T17:29:59.814613+00:00

> Компания Applied Materials объявила, что японский гигант памяти KIOXIA официально присоединился к своему центру EPIC Center стоимостью пять миллиардов долларов в Силиконовой долине для совместной разработки архитектур стекирования трехмерной флэш-памяти нового поколения и передовых технологий проектирования материалов.

## TL;DR
- Корпорация KIOXIA официально присоединилась к центру EPIC компании Applied Materials стоимостью пять миллиардов долларов в Кремниевой долине в качестве основного партнера по инновациям в области памяти.
- Сотрудничество объединяет архитекторов памяти и инженеров оборудования для ускорения коммерциализации многочипового 3D-стекинга высокой плотности.
- Направления исследований сосредоточены на новом травлении с высоким соотношением сторон и осаждении диэлектриков атомного слоя для преодоления ограничений вертикального масштабирования NAND.
- Центр EPIC призван сократить сроки перехода на коммерческие полупроводниковые технологии почти на тридцать процентов.

## Key points
- Партнерство нацелено на растущую пропускную способность памяти и узкие места в энергоэффективности, ограничивающие учебные кластеры искусственного интеллекта.
- Инженеры разработают специализированные решения в области материаловедения для монолитной 3D NAND, превышающей пятьсот активных вертикальных слоев словесных строк.
- Передовые технологии прямого соединения пластин с пластинами и технологии упаковки «микро-сквозь кремний» (TSV) будут проверены в пилотных чистых помещениях большого объема.
- KIOXIA присоединяется к расширяющемуся глобальному консорциуму ведущих литейных предприятий и разработчиков полупроводников, работающих совместно на предприятии в Кремниевой долине.
- Первоначальные прототипы кремния с использованием соединительных материалов и процессов травления планируется начать в начале 2027 года.

## Что произошло

29 и 30 сентября 2026 года гигант оборудования для производства полупроводников Applied Materials объявил, что японская корпорация KIOXIA, пионер флэш-памяти, официально стала инновационным партнером своего Центра инноваций и коммерциализации оборудования и процессов (EPIC). Расположенный в Силиконовой долине объект EPIC стоимостью пять миллиардов долларов представляет собой крупнейший в полупроводниковой отрасли совместный комплекс чистых помещений для исследований и разработок. В результате многолетнего партнерства будет создан специальный совместный инженерный павильон, где архитекторы устройств KIOXIA будут работать бок о бок с инженерами-технологами Applied Materials.

Сотрудничество полностью сосредоточено на решении серьезных физических и материальных барьеров масштабирования, возникающих в 3D-памяти высокой плотности следующего поколения. Поскольку базовые модели искусственного интеллекта расширяются до триллионов параметров, емкость памяти и пропускная способность межсоединений становятся основными архитектурными ограничениями производительности вычислений. Компании Applied Materials и KIOXIA будут объединять запатентованные технологии осаждения атомно-слоевых материалов, химию криогенного травления и технологии гибридного 3D-соединения между пластинами для разработки архитектур памяти, превышающих пределы плотности тока.

Генеральный директор Applied Materials Гэри Дикерсон заявил во время объявления, что традиционные, разрозненные исследования и разработки полупроводников, когда производители оборудования разрабатывают инструменты изолированно и отправляют их зарубежным производителям микросхем для последовательной квалификации методом проб и ошибок, больше не могут идти в ногу с требованиями ИИ. Собрав в Центре EPIC ведущих производителей памяти рядом с передовыми пилотными производственными линиями, отрасль сможет сократить циклы квалификации новых технологий с лет до месяцев.

## Почему это важно

Для операторов корпоративных центров обработки данных и заводов по производству полупроводников стена памяти превратилась из теоретической академической проблемы в острый коммерческий кризис. Современные кластеры ускорителей искусственного интеллекта тратят непропорционально большую долю общих затрат энергии, просто перемещая веса активации между разрозненными модулями памяти с высокой пропускной способностью (HBM) и логическими ядрами обработки. Разработка монолитной архитектуры стекирования 3D NAND и плотной DRAM, которая может тесно интегрироваться с вычислительными кристаллами, необходима для поддержания экспоненциального роста производительности.

Однако масштабирование вертикальных стеков памяти за пределы нескольких сотен слоев создает ошеломляющие проблемы физического производства. Травление сверхглубоких, идеально вертикальных каналов через чередующиеся диэлектрические слои требует экстремальных соотношений сторон, превышающих 100:1, без бокового прогиба или разрушения конструкции. Когда профили травления отклоняются хотя бы на долю нанометра, емкостная связь вызывает битовые ошибки и нестабильность ячейки памяти.

![Компоновка кремниевого кристалла интегральной схемы с большим увеличением, показывающая многослойные межсоединения](https://rkhynbcsbnkkcwgexzwg.supabase.co/storage/v1/object/public/media/api/1790788636997-h5hw7p-applied-materials-kioxia-epic-center-3d-memory-2026-09-30-night-inside-1-dc8cc02967.webp)

Объединив глубокий опыт KIOXIA в разработке флэш-памяти BiCS 3D с передовыми системами плазменного травления и выборочного удаления материала Applied Materials, партнерство создает прямой конвейер от лаборатории к производству. Совместное исследование направлено на создание масштабируемых производственных процессов, которые поддерживают высокий выход пластин, даже если количество вертикальных слоев превышает пятьсот слоев.

## Технические детали

Совместная инженерная программа Центра EPIC сосредоточена на трех взаимосвязанных основных технологических процессах: криогенном травлении с высоким соотношением сторон, осаждении атомного слоя диэлектрика с низким коэффициентом k и субмикронной прямой гибридной связи меди с медью. При производстве вертикального NAND травление канальных отверстий обычно выполняется при минусовых температурах с использованием газовых смесей фторуглеродов. Объединенная группа внедряет камеры криогенного травления нового поколения, работающие при температуре ниже минус семидесяти градусов по Цельсию, используя импульсную плазму высокой плотности для поддержания точности вертикального профиля за счет экстремальных стеков оксида кремния и нитрида кремния.

Чтобы предотвратить паразитную емкостную утечку между плотно упакованными вертикальными словесными линиями, компания Applied Materials представляет запатентованные органосиликатные диэлектрические пленки, наносимые методом атомно-слоевого осаждения (ALD). Эти новые материалы демонстрируют значительно более низкие диэлектрические проницаемости, выдерживая при этом интенсивные механические термические нагрузки, возникающие во время нескольких циклов термического отжига.

![Кампус штаб-квартиры компании Applied Materials в Санта-Кларе, Калифорния.](https://rkhynbcsbnkkcwgexzwg.supabase.co/storage/v1/object/public/media/api/1790788643653-31pfox-applied-materials-kioxia-epic-center-3d-memory-2026-09-30-night-inside-2-45f0b8a09e.webp)

Параллельно направление упаковки фокусируется на 3D-укладке на уровне пластин. Вместо того чтобы полагаться на традиционные паяные соединения с микровыступами, KIOXIA и Applied Materials проверяют прямое гибридное соединение диэлектрик-диэлектрик и медь-медь. Это обеспечивает плотность шага межсоединений менее одного микрометра, что значительно увеличивает пропускную способность межсоединений между составными кристаллами памяти, одновременно снижая паразитное сопротивление и динамическое рассеяние энергии.

## Влияние на рынок и отрасль

Альянс существенно укрепит конкурентные позиции KIOXIA на ожесточенном мировом рынке памяти, где она конкурирует с южнокорейскими лидерами памяти Samsung Electronics и SK Hynix, а также с американским производителем Micron Technology. В то время как конкуренты взяли на себя агрессивные капитальные вложения в создание корпусов памяти с высокой пропускной способностью, совместное размещение KIOXIA на главном предприятии Applied Materials в Силиконовой долине обеспечивает немедленный доступ к современному пилотному оборудованию до его выхода на коммерческий рынок.

Для Applied Materials привлечение KIOXIA в качестве основного партнера подтверждает капитальные затраты в пять миллиардов долларов, вложенные в строительство Центра EPIC. Модель бросает вызов традиционным парадигмам исследований и разработок, ориентированным на литейное производство, позиционируя поставщиков оборудования как активных соавторов системных архитекторов, а не пассивных поставщиков инструментов.

Кроме того, это сотрудничество подчеркивает устойчивую технологическую взаимозависимость между Соединенными Штатами и Японией в важнейших цепочках поставок полупроводников. Поскольку национальная политика в области полупроводниковой промышленности в Вашингтоне и Токио направлена ​​на обеспечение устойчивых экосистем микросхем, совместные инициативы в области исследований и разработок между ведущими американскими разработчиками оборудования и японскими производителями памяти обеспечивают стратегическую стабильность против геополитических потрясений в цепочке поставок.

## За чем следить дальше

В течение 2027 года полупроводниковое сообщество будет искать первоначальные технические раскрытия на крупных академических и отраслевых конференциях, включая Международную конференцию IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) и симпозиумы по технологиям и схемам СБИС. Демонстрация функциональных 3D-испытательных автомобилей с рекордным количеством слоев и низкой плотностью дефектов подтвердит эффективность подхода к совместной инженерии материалов.

Аналитики рынка также будут следить за тем, расширит ли свое присутствие в EPIC Center партнер KIOXIA по совместному производству, Western Digital, или другие ведущие мировые производители микросхем. Более широкое участие отрасли могло бы создать общие стандартные интерфейсы упаковки для интеграции 3D-чиплетов различных производителей.

Наконец, наблюдатели будут следить за коммерческими поставками инструментов в результате исследований Центра EPIC. Если компания Applied Materials успешно реализует свои достижения в области криогенного травления и гибридной сварки в крупномасштабных продажах производственных инструментов, это укрепит ров доходов гиганта оборудования до конца десятилетия.

## Источники

* [Новости прикладных материалов](https://www.appliedmaterials.com/us/en/news/press-releases/2026/09/kioxia-joins-epic-center-next-gen-memory.html) — официальный пресс-релиз, описывающий вступление KIOXIA в качестве инновационного партнера в Центре EPIC Кремниевой долины.
* [Новости Evertiq Semiconductor](https://evertiq.com/design/56984/kioxia-partners-with-applied-materials-at-epic-center) — технические отчеты о многочиповых стеках высокой плотности, инновациях в материалах и целях энергоэффективности для памяти ИИ.
* [Investing.com Technology](https://www.investing.com/news/stock-market-news/applied-materials-expands-epic-center-ecosystem-with-kioxia-partnership-3589412) – отраслевой и финансовый анализ графика ускорения запуска предприятия EPIC стоимостью пять миллиардов долларов для производства больших объемов 3D-памяти.

Mentions: Прикладные материалы, Корпорация КИОКСИА, Гэри Дикерсон, ЭПИК Центр

## Sources
- [Прикладные материалы](https://www.appliedmaterials.com/us/en/news/press-releases/2026/09/kioxia-joins-epic-center-next-gen-memory.html)
- [Новости Evertiq Semiconductor](https://evertiq.com/design/56984/kioxia-partners-with-applied-materials-at-epic-center)
- [Investing.com Технологии](https://www.investing.com/news/stock-market-news/applied-materials-expands-epic-center-ecosystem-with-kioxia-partnership-3589412)