# Samsung პროგნოზირებს მუდმივი გლობალური DRAM და HBM დეფიციტი, რომელიც გაგრძელდება 2028 წლამდე

Source: TechNewsList (https://technewslist.com)
Canonical URL: https://technewslist.com/ka/article/samsung-forecasts-global-memory-ram-shortage-extending-to-2028-2026-10-29-nig-ka
Section: Hardware (https://technewslist.com/ka/hardware)
Author: TechNewsList
Language: ka
Published: 2026-10-29T18:19:52.497+00:00
Updated: 2026-10-29T18:19:52.500396+00:00

> Samsung Electronics გააფრთხილა ინდუსტრიის პარტნიორები, რომ გლობალური DRAM და High Bandwidth Memory დეფიციტი შენარჩუნდება მინიმუმ 2028 წლამდე, ხელოვნური ინტელექტის მოთხოვნის გამო.

## TL;DR
- Samsung Electronics-მ აცნობა ტექნიკის პარტნიორებს, რომ გლობალური DRAM და HBM მიწოდების დეფიციტი გაგრძელდება მინიმუმ 2028 წლამდე.
- ნახევარგამტარული ფაბრიკები ცვლის სილიკონის ვაფლის მოწინავე სიმძლავრეს მრავალ დასტაზე High Bandwidth Memory ხელოვნური ინტელექტის ამაჩქარებლებისთვის.
- საწარმოს სერვერის მოდულები და სამომხმარებლო კომპიუტერის ოპერატიული მეხსიერება განიცდიან მიწოდების სერიოზულ შეკუმშვას და შესყიდვის ხარჯების ზრდას.

## Key points
- Samsung Device Solutions-ის აღმასრულებელი ხელმძღვანელობა პროგნოზირებდა მეხსიერების მუდმივ შებოჭილობას ოთხი კალენდარული წლის განმავლობაში.
- უპრეცედენტო ჰიპერმასშტაბიანი მონაცემთა ცენტრის კაპიტალურმა ხარჯებმა მოიხმარა თითქმის ყველა დაგეგმილი HBM3E და HBM4 შეფუთვის ხაზი.
- სუფთა ოთახის ანაბეჭდის გადანაწილებამ სტანდარტული DDR5 მეხსიერებისგან დაშორებით გამოიწვია სპოტ საბაზრო კონტრაქტების ფასები 60 პროცენტზე მეტით.
- სამომხმარებლო ელექტრონიკის OEM-ებს ემუქრებათ წარმოების გახანგრძლივებული ვადები და ზღვრების შეკუმშვა მობილური და კომპიუტერების პროდუქციის ხაზებზე.
- მასიური ნახევარგამტარული Greenfield Fab ინვესტიციები სამხრეთ კორეასა და შეერთებულ შტატებში არ მიაღწევს მოცულობას 2028 წლამდე.

## რა მოხდა

Samsung Electronics-მ გამოსცა საძაგელი მრავალწლიანი პროგნოზი გლობალური ტექნოლოგიური ტექნიკის პარტნიორებისთვის, რომელიც აფრთხილებს, რომ დინამიური შემთხვევითი წვდომის მეხსიერების (DRAM) და სპეციალიზებული High Bandwidth Memory (HBM) სერიოზული დეფიციტი გაგრძელდება სულ მცირე 2028 წლამდე. პროექცია, რომელიც შექმნილია დახურული კარის მიწოდების ჯაჭვის დროს, როგორც მეხსიერების მიწოდების სტრუქტურული სამიტებზე. გადაიტანოს უპრეცედენტო წარმოების შესაძლებლობები ჰიპერმასშტაბიანი ხელოვნური ინტელექტის ინფრასტრუქტურისკენ.

![მოწინავე ნახევარგამტარული სუფთა ოთახი რობოტი ზედ ტრეკით, რომელიც ატარებს სილიკონის ვაფლის კვერებს.](https://technewslist.com/storage/v1/object/public/media/api/1793297176587-cclg9t-samsung-forecasts-global-memory-ram-shortage-extending-to-2028-2026-10-29-night-inside-1-4faa9bfa2d.webp)
*ნახევარგამტარული წარმოების სუფთა ოთახი, რომელიც ანაწილებს ფოტოლითოგრაფიულ ხაზებს მეხსიერების შეფუთვაზე.*

საწარმოს ორიგინალური აღჭურვილობის მწარმოებლებთან (OEMs) გაზიარებული ბრიფინგის დეტალების მიხედვით, Samsung ნახევარგამტარული განყოფილება მოელის, რომ მეხსიერების ვაფლის მოთხოვნა გადააჭარბებს მსოფლიოში სუფთა ოთახის მიწოდებას როგორც სტანდარტული DDR5 სერვერის სეგმენტში, ასევე შემდეგი თაობის HBM არქიტექტურაში. სამხრეთ კორეასა და ჩრდილოეთ ამერიკაში დაგეგმილი კაპიტალური ხარჯების მილიარდობით დოლარის მიუხედავად, Samsung-ის აღმასრულებლებმა გააფრთხილეს, რომ ფიზიკური მშენებლობის ვადები, ექსტრემალური ულტრაიისფერი (EUV) ფოტოლითოგრაფიის ხელსაწყოები და შეფუთვის პროდუქტიულობა ხელს შეუშლის მნიშვნელოვან წმინდა მიწოდებას მომდევნო ოცდათექვსმეტი თვის განმავლობაში.

განცხადება ადასტურებს მზარდი ინდუსტრიის შიშებს, რომ AI გამოთვლითი ბუმი იწვევს მეხსიერების უწყვეტი მიწოდების ყველაზე ხანგრძლივ შეკუმშვას თანამედროვე ნახევარგამტარების ისტორიაში.

## რატომ არის მნიშვნელოვანი

მეხსიერების ნახევარგამტარები წარმოადგენს მუშაობის ფუნდამენტურ ბარიერს თანამედროვე გამოთვლითი დატვირთვისთვის. მიუხედავად იმისა, რომ გრაფიკული დამუშავების ერთეულებმა და მორგებულმა ტენსორის ამაჩქარებლებმა მიიპყრეს მთავარი ყურადღება, ამ პროცესორებს არ შეუძლიათ ფუნქციონირება ათობით გიგაბაიტი ულტრა სწრაფი მეხსიერების გარეშე, რომლებიც მჭიდროდ არის დაწყობილი მათ სილიკონის ინტერპოზიტორებთან.

ღრუბლოვანი ჰიპერსკალერებისგან, რომლებიც აშენებენ სასაზღვრო AI კლასტერებს, შეასრულეს შესყიდვის მასიური შეკვეთები, Samsung, SK Hynix და Micron აგრესიულად გადაანაწილეს მოწინავე სილიკონის წარმოების ხაზები 12-ფენიანი და 16-ფენიანი HBM დასტაებისთვის. თუმცა, HBM-ის ერთი ვაფლის წარმოება მოიხმარს უხეშად სამჯერ მეტ სილიკონის ვაფლის ფართობს ჩვეულებრივი DDR5 მეხსიერების გამო სილიციუმის მეშვეობით (TSV) ურთიერთდაკავშირებისა და თერმული გაფრქვევის სტრუქტურების გამო.

ამ სტრუქტურულმა კანიბალიზაციამ შიმშილი მოახდინა ჩვეულებრივი გამოთვლითი ეკოსისტემას. სერვერების მწარმოებლები, რომლებიც აშენებენ კორპორატიულ ღრუბლოვან ინფრასტრუქტურას, პერსონალური კომპიუტერების მწარმოებლები, რომლებიც აწყობენ სამომხმარებლო ლეპტოპებს და სმარტფონების გამყიდველები, ახლა კონკურენციას უწევენ სტანდარტული მეხსიერების მკვეთრად შეზღუდულ აუზს, რაც ზრდის კონტრაქტის ფასებს და ახანგრძლივებს მომწოდებლების მიწოდების ვადებს მთელს მსოფლიოში.

## ტექნიკური დეტალები

ტექნიკური ფაქტორები, რომლებიც განაპირობებენ Samsung-ის გახანგრძლივებული დეფიციტის პროგნოზირების ცენტრს სილიკონის მოწინავე შეფუთვაზე და ლითოგრაფიულ სირთულეზე:

![ფინანსური სასანთლე სქემა, რომელიც ასახავს არასტაბილურ კომპონენტების ადგილზე ფასებს და ბაზრის მიწოდების ტენდენციებს.](https://technewslist.com/storage/v1/object/public/media/api/1793297177029-oayro9-samsung-forecasts-global-memory-ram-shortage-extending-to-2028-2026-10-29-night-inside-2-4cc25f4aa4.webp)
*საწარმოს მეხსიერების კონტრაქტის ფასი, რომელიც ასახავს კომპონენტების მრავალწლიან მიწოდების დეფიციტს.*

1. **სილიკონის ანაბეჭდის მულტიპლიკატორები**: HBM3E და შემდეგი თაობის HBM4 მეხსიერების დამზადება საჭიროებს სპეციალიზებულ საბაზისო ლოგიკურ კვერებს და ვერტიკალურ 3D დაწყობას, რაც ამცირებს საქონლის DDR5 და LPDDR6 მოდულების მთლიანი ვაფლის გამომუშავებას 35 პროცენტზე მეტით თითო სუფთა ოთახის ხაზზე.
2. **შეფუთვის გაფართოებული პროდუქტიულობა**: თექვსმეტი მეხსიერების დაწყობა მიკრომეტრის დონის სიზუსტით მოწინავე მიკრობამპისა და ჰიბრიდული შემაკავშირებელი ტექნიკის გამოყენებით წარმოქმნის მოსავლიანობის გამოწვევებს, რაც მოითხოვს მეხსიერების შემქმნელებს, გამოყოს მნიშვნელოვანი სუფთა ოთახის კვადრატული კადრები ხარისხის უზრუნველყოფისა და გადამუშავების სადგურებისთვის.
3. **EUV Lithography Lead Times**: 10nm DRAM-ის წარმოების ხაზების გაფართოებისთვის საჭიროა High-NA EUV ლითოგრაფიის აპარატები, რომლებიც წარმოებულია ექსკლუზიურად ASML-ის მიერ, რომლებიც ექვემდებარება მრავალწლიან ქარხნულ ნარჩენებს.
4. **თერმული და სიმძლავრის შეზღუდვები**: მაღალი სიმკვრივის სერვერის მოდულები საჭიროებენ ძაბვის რეგულატორის ახალ დიზაინს და სითბოს გამავრცელებლებს ლოკალიზებული თერმული გაფრქვევის სამართავად, რაც კიდევ უფრო ანელებს საბოლოო შეფუთვის გამტარუნარიანობას.

იმის გამო, რომ წარმოების ეს გამოწვევები ვერ გადაიჭრება პროგრამული უზრუნველყოფის ოპტიმიზაციის ან დროებითი ზეგანაკვეთური ცვლის გზით, სილიკონის მთლიანი სიმძლავრის გაფართოება მოითხოვს ნახევარგამტარების წარმოების სრულიად ახალი ობიექტების მშენებლობას.

## გავლენა ბაზარზე და ინდუსტრიაზე

Samsung-ის დეფიციტის მრავალწლიანი პროგნოზის შედეგები ასახავს ტექნიკის ტექნოლოგიის მთელ ლანდშაფტს. საწარმოთა IT განყოფილებები უკვე გადახედავენ ბიუჯეტის ასიგნებებს, რადგან სერვერის RAM-ის ფასები იზრდება, რაც აიძულებს კორპორატიულ მონაცემთა ცენტრის ოპერატორებს გააგრძელონ არსებული კომპიუტერული კლასტერების ოპერაციული ციკლი, ვიდრე ახალი აპარატურის ფლოტის შესყიდვა.

სამომხმარებლო ელექტრონიკაში, მოწყობილობების მწარმოებლები აწყდებიან მასალების მტკივნეულ ინფლაციას. კომპიუტერის შემქმნელები და მობილური OEM-ები, რომლებიც ადრე გეგმავდნენ 32 GB და 64 GB ოპერატიული მეხსიერების დაყენებას, როგორც სტანდარტულ საბაზისო კონფიგურაციას პრემიუმ პროდუქციის დონეზე, იძულებულნი არიან შეინარჩუნონ 16 GB დონეები ან გადასცენ ფასების მნიშვნელოვანი ზრდა საბოლოო მომხმარებლებს. ტექნიკის მინდვრები განიცდის მუდმივ შეკუმშვას 2026-2028 წლების ფანჯრის განმავლობაში.

ამავდროულად, მდგრადი ფასების ძალა, რომელსაც სარგებლობენ მეხსიერების მწარმოებლები, წარმოქმნის ფულადი სახსრების რეკორდულ თავისუფალ ნაკადს Samsung-სთვის და მისი რეგიონალური თანატოლებისთვის. ეს შემოსავლები რეინვესტირდება სამსხმელო ქარხნების მასიურ გაფართოებაში, რაც იწვევს კაპიტალური საქონლის ხარჯვას ნახევარგამტარული აღჭურვილობისა და მასალების სექტორებში.

## რას უნდა დავაკვირდეთ შემდეგ

მეხსიერების უკმარისობის გაღრმავებასთან ერთად, ინდუსტრიის ანალიტიკოსები აკვირდებიან რამდენიმე კრიტიკულ ოპერაციულ და კომერციულ ეტაპებს:

- **HBM4 Hybrid Bonding Timelines**: შედეგის პროგრესი Samsung-ის ჰიბრიდულ შეკავშირებაზე გადასვლაზე კომერციული HBM4 მასობრივი წარმოებისთვის, რომელიც დაგეგმილია 2026 წლის ბოლოს.
- **კონტრაქტის ფასის მოლაპარაკებები**: კვარტალური კონტრაქტის ფასის კორექტირება Tier-1 ღრუბლოვან პროვაიდერებსა და კორეის მეხსიერების მწარმოებლებს შორის საწარმოს DDR5 სერვერის DIMM-ებისთვის.
- **Fab Construction Milestones**: პროგრესის განახლებები Samsung-ის Pyeongtaek Line 4-ისა და Taylor, Texas ნახევარგამტარების წარმოების კომპლექსებზე, როგორც ჭურვის მშენებლობა დასრულდება.
- **სამომხმარებლო ტექნიკის დონე**: სმარტფონებისა და ლეპტოპების ფლაგმანი მწარმოებლები გამოაცხადებენ თუ არა საცალო ფასების ზრდას ან RAM-ის საბაზისო სპეციფიკაციების შემცირებას ტექნიკის მომავალ გამოფენებზე.

## წყაროები

მიწოდების ჯაჭვის მონაცემები, კომპანიის პროგნოზები და ტექნიკის ინდუსტრიის ანალიზები ამ ანგარიშში დასაბუთებულია პირველადი ტექნოლოგიების მოხსენებით:

- **The Verge Hardware Desk**: შონ ჰოლისტერის მოხსენება, რომელიც ავლენს Samsung-ის შიდა პროგნოზებს, რომლებიც პროგნოზირებენ RAM-ისა და HBM-ის გლობალურ დეფიციტს 2028 წლამდე.
- **მოწყობილობის ზღვარზე მოხსენება**: სამომხმარებლო ელექტრონიკის მიწოდების ჯაჭვის წნევის და ტექნიკის კომპონენტების ინტეგრაციის გამოწვევების ანალიზი.
- **Ars Technica ინფრასტრუქტურის დაფარვა**: გლობალური ტექნოლოგიური ინფრასტრუქტურის კაპიტალური ხარჯების, მონაცემთა ცენტრის აშენებისა და ნახევარგამტარების წარმოების ინვესტიციების გამოკვლევა.

Mentions: Samsung, Samsung Electronics, High Bandwidth Memory, DRAM Supply, Semiconductor Fabs, Hyperscale Infrastructure

## Sources
- [The Verge Hardware Desk](https://www.theverge.com/tech/1022242/samsungs-expecting-the-ram-shortage-to-last-until-at-least-2028)
- [The Verge Device Reporting](https://www.theverge.com/tech/1020403/everything-announced-at-amazons-october-2026-hardware-launch)
- [Ars Technica ინფრასტრუქტურის დაფარვა](https://arstechnica.com/gadgets/2026/10/as-us-ties-fray-europe-plans-first-undersea-cable-link-to-greenland/)