# Samsung Electro-Mechanics იღებს 4,9 მილიარდ დოლარს FC-BGA სუბსტრატის წარმოების გაფართოებისთვის AI პროცესორებისთვის

Source: TechNewsList (https://technewslist.com)
Canonical URL: https://technewslist.com/ka/article/samsung-electro-mechanics-commits-4-9b-fc-bga-ai-chips-2026-09-29-morning-ka
Section: Hardware (https://technewslist.com/ka/hardware)
Author: TechNewsList
Language: ka
Published: 2026-09-29T05:51:26.112+00:00
Updated: 2026-09-29T05:51:26.28688+00:00

> Samsung Electro-Mechanics-მა დახარჯა 6,78 ტრილიონი კორეული ვონი (4,9 მილიარდი აშშ დოლარი) სამხრეთ კორეისა და ვიეტნამის მასშტაბით ჩიპური ბურთის ქსელის მასივის წარმოებისთვის, რომელიც მიზნად ისახავს მაღალი სიმკვრივის შეფუთვას შემდეგი თაობის AI ამაჩქარებლებისთვის.

## TL;DR
- Samsung Electro-Mechanics-მა დაამტკიცა 6,78 ტრილიონი KRW (4,9 მილიარდი აშშ დოლარი) ინვესტიცია FC-BGA სუბსტრატის სიმძლავრეში.
- პროგრამა გამოყოფს 4,27 ტრილიონ ვონს სამხრეთ კორეაში მდებარე Sejong კომპლექსს და 2,51 ტრილიონ ვონს ვიეტნამის შვილობილი კომპანიისთვის.
- გაფართოებას მხარს უჭერს მრავალწლიანი მოცულობის ვალდებულებები და თანაინვესტიციები გლობალური მსხვილი ტექნოლოგიური AI ამაჩქარებლის დიზაინერებისგან.
- სეჯონგის ახალი საწარმოო ქარხნიდან მასობრივი წარმოება 2028 წლის სექტემბერში იგეგმება.

## Key points
- წარმოადგენს Samsung Electro-Mechanics-ის ისტორიაში ერთ-ერთ ყველაზე დიდ კაპიტალდაბანდებას კონკრეტული პროდუქტისთვის.
- პირდაპირ მიმართავს კრიტიკულ შეფუთვას, რომელიც ზღუდავს AI ამაჩქარებლების და სერვერის CPU-ების გლობალურ მიწოდებას.
- შემდეგი თაობის სუბსტრატები 70x70 მმ-ს გადააჭარბებს სხეულის ზომებით და შეიცავს ოცამდე მიკროსქემის ფენას.
- დივერსიფიცირებული გეოგრაფიული კვალი სამხრეთ კორეასა და ვიეტნამში აძლიერებს მიწოდების ჯაჭვის გამძლეობას გეოპოლიტიკური შოკების მიმართ.
- აძლიერებს Samsung-ის კონკურენტულ პოზიციებს დამკვიდრებული იაპონური სუბსტრატის ლიდერების მიმართ, როგორიცაა Ibiden და Shinko.

## რა მოხდა

2026 წლის 28 სექტემბერს, ელექტრონული კომპონენტების მწარმოებელმა გიგანტმა Samsung Electro-Mechanics-მა გამოაცხადა თავისი ყველაზე დიდი კაპიტალის ვალდებულება დღემდე, დაამტკიცა ინვესტიცია 6,78 ტრილიონი კორეული ვონი (დაახლოებით 4,9 მილიარდი აშშ დოლარი), რათა აგრესიულად გააფართოვოს თავისი წარმოების შესაძლებლობები მაღალი ხარისხის Flip-Chiptes-Ball Gridray-ისთვის (FC Chip Ball-Gridray). მრავალწლიანი კაპიტალური დანახარჯების პროგრამა შემუშავებულია იმისთვის, რომ გადაჭრას ტექნიკის შეფუთვის მწვავე ბარიერი, რომელიც ამჟამად ზღუდავს ხელოვნური ინტელექტის ამაჩქარებლების, მაღალი ხარისხის გამოთვლითი პროცესორების (HPC) და სერვერის კლასის პროცესორების გლობალურ გამომუშავებას.

ინვესტიცია სტრუქტურირებულია ორ ძირითად საწარმოო ცენტრზე აღმოსავლეთ და სამხრეთ-აღმოსავლეთ აზიაში. კომპანია გამოყოფს 4,27 ტრილიონ ვონს (დაახლოებით 3,1 მილიარდი დოლარი) მოწინავე საწარმოო ხაზების მშენებლობისთვის სამხრეთ კორეაში, სეჯონგის კამპუსში, ობიექტის მშენებლობა დაგეგმილია 2028 წლის მაისამდე და კომერციული მასობრივი წარმოება 2028 წლის სექტემბერში. დამატებითი 2,51 მილიარდი დოლარი იქნება პირდაპირ. Samsung Electro-Mechanics-ის შვილობილი კომპანიისთვის ვიეტნამში, აფინანსებს სუფთა ოთახის გაფართოებას და ავტომატური ტესტირების ხაზებს, რომლებიც ონლაინ გამოვა 2028 წლის აპრილისთვის.

რაც მთავარია, Samsung-მა გაამჟღავნა, რომ ისტორიული გაფართოება არ არის სპეკულაციური აგებულება. კაპიტალური დანახარჯები ძლიერ არის მხარდაჭერილი სავალდებულო შუა და გრძელვადიანი მიწოდების კონტრაქტებით, მოცულობის შესყიდვის გარანტიებით და პირდაპირი ინფრასტრუქტურის თანაინვესტიციებით გლობალური დიდი ტექნოლოგიების ჰიპერსკალერებისა და სასაზღვრო AI ნახევარგამტარების დიზაინერებისგან. ეს კომერციული პარტნიორები ცდილობდნენ შეფუთვის სპეციალურ შესაძლებლობებს, რათა გარანტირებულიყვნენ, რომ შემდეგი თაობის სილიკონის დიზაინები შეიძლება გადავიდეს წარმოებაში სუბსტრატის დეფიციტის გარეშე.

## რატომ არის მნიშვნელოვანი

მიუხედავად იმისა, რომ გლობალური საზოგადოების ყურადღება ძირითადად ფოკუსირებულია წინა ნაწილის ნახევარგამტარების დამზადების კვანძებზე, როგორიცაა 2 ნანომეტრიანი და 3 ნანომეტრიანი ლითოგრაფიული ხაზები, რომლებსაც მართავს TSMC და Samsung Electronics, უკანა ბოლოში შეფუთვის მოწინავე სუბსტრატები წარმოიქმნა ხელოვნური ინტელექტის აპარატურის პირველადი ოპერატიული ჩახშობის წერტილი. სასაზღვრო AI ამაჩქარებლები აღარ შედგება ერთი მონოლითური სილიკონის ნაჭრებისგან; ამის ნაცვლად, ისინი აერთიანებენ რამდენიმე გამოთვლილ ჩიპლეტს, მაღალი გამტარუნარიანობის მეხსიერების (HBM) სტეკებს და ოპტიკურ გადამცემებს ერთ ერთიან შეფუთვის სუბსტრატზე.

ეს მასიური მრავალსაფეხურიანი შეფუთვა საჭიროებს სუბსტრატებს ზედაპირის უპრეცედენტო ფართობით, ფენების რაოდენობით და ურთიერთდაკავშირების სიმკვრივით. ხელოვნური ინტელექტის ამაჩქარებლის პაკეტი დღეს ხშირად აღემატება 70-დან 70 მილიმეტრს ფიზიკურ ზომებში, რაც მოითხოვს ოცამდე დისკრეტულ გაყვანილობას ქვემიკრონული ხაზების ინტერვალით ასობით ათასი ელექტრული სიგნალის ერთდროულად გასატარებლად. ნებისმიერი მიკროსკოპული დეფექტი ან თერმული დეფექტი სუბსტრატის დამზადების დროს იწვევს ათასობით დოლარის ერთობლივად შეფუთული სილიკონის დაკარგვას, რაც აქცევს სუბსტრატის მოსავლიანობას განმსაზღვრელ ფაქტორად ჩიპების მიწოდებაში.

![მოწინავე მრავალჩიპიანი შეფუთვა მოითხოვს ულტრა მაღალი სიმკვრივის სუბსტრატის ურთიერთდაკავშირებას პარალელური AI პროცესორის არქიტექტურის მხარდასაჭერად](https://rkhynbcsbnkkcwgexzwg.supabase.co/storage/v1/object/public/media/api/1790659863106-st9q0f-samsung-electro-mechanics-commits-4-9b-fc-bga-ai-chips-2026-09-29-morning-inside-1-dc4c3095a6.webp)

4.9 მილიარდი დოლარის განლაგებით სპეციალურ AI სუბსტრატებში, Samsung Electro-Mechanics პოზიციონირებს ნახევარგამტარული შეფუთვის ინდუსტრიის გლობალური კონკურენტული ბალანსის შესაცვლელად. ისტორიულად, იაპონელი მომწოდებლები, როგორებიცაა Ibiden და Shinko Electric Industries, იკავებდნენ ვირტუალურ დახრჩობას სერვერის FC-BGA სუბსტრატების უმაღლეს დონეზე. Samsung-ის მასიური მასშტაბი და ინტეგრირებული მიწოდების ჯაჭვი Samsung-ის უფრო ფართო ჯგუფში საშუალებას აძლევს მას დაუყენოს უპრეცედენტო გამოწვევა იაპონიის ბაზრის დომინირებისთვის, რაც უზრუნველყოფს გლობალური ჩიპების დიზაინერებს სასიცოცხლო ალტერნატიული მიწოდების წყაროს.

## ტექნიკური დეტალები

დაგეგმილი სეჯონგისა და ვიეტნამის საწარმოო ხაზების საინჟინრო სპეციფიკაციები წარმოადგენს თაობის ნახტომს სუბსტრატის წარმოების ფიზიკაში. სამომხმარებლო ელექტრონიკის ტრადიციული FC-BGA სუბსტრატები აღჭურვილია ექვს-ათამდე გაყვანილობის ფენით შედარებით მოდუნებული კვალის ზონებით. ამის საპირისპიროდ, შემდეგი თაობის სუბსტრატები, რომლებიც მიზნად ისახავს ხელოვნური ინტელექტის ამაჩქარებლებს 2028 წლის ეპოქაში, მოიცავს ოცდაოთხ მიკროსქემის ფენას, გამოიყენებს მოწინავე დიელექტრიკული ფენების (ABF) და ულტრა დაბალი დანაკარგის ბირთვის მასალებს, რათა მინიმუმამდე დაიყვანოს სიგნალის შესუსტება მაღალი სამუშაო სიხშირეზე.

ცენტრალური საინჟინრო გამოწვევა დიდი ფართობის სუბსტრატების წარმოებაში არის თერმული გაფართოების კოეფიციენტის (CTE) შეუსაბამობის მართვა სილიკონის ჩიპლეტებსა და ორგანულ სუბსტრატს შორის. ინტენსიური თერმული ციკლების პირობებში, რომლებიც წარმოიქმნება თანამედროვე მონაცემთა ცენტრის პროცესორების მიერ, რომლებიც მოიხმარენ 1000 ვტ-ზე მეტს, არათანაბარი თერმული გაფართოება შეიძლება გამოიწვიოს მიკრო-ჩამოყრილი დელმინაცია, შედუღების სახსრის დაღლილობა და ფიზიკური შეფუთვის გაფუჭება. Samsung-ის ახალი ობიექტები ჩართული იქნება მინის ბირთვის სუბსტრატის დამუშავების საკუთრებაში არსებულ აღჭურვილობასთან ერთად მოწინავე ლაზერული ბურღვის სისტემებთან ერთად, რომლებსაც შეუძლიათ შექმნან მიკრო-ვიზები დიამეტრით 20 მიკრონიმდე.

![ჩიპ-ჩიპური ბურთის ბადის მასივის არქიტექტურა საშუალებას აძლევს ათასობით მიკრო-ბამპ კავშირს, რომელიც აკავშირებს სილიკონის ჩიპლეტებს სერვერის დედაპლატებთან](https://rkhynbcsbnkkcwgexzwg.supabase.co/storage/v1/object/public/media/api/1790659864917-3h1jx3-samsung-electro-mechanics-commits-4-9b-fc-bga-ai-chips-2026-09-29-morning-inside-2-fe915dcb37.webp)

წარმოების პროცესში ასევე განხორციელდება ხელოვნური ინტელექტის დეფექტების სრული ინსპექტირება. რეალურ დროში მანქანური ხედვის ინსპექტირების სისტემებთან დაკავშირებული მაღალსიჩქარიანი ოპტიკური და რენტგენის მეტროლოგიური ხელსაწყოების განლაგებით, ქარხანას შეუძლია დაადგინოს სუბსტრატის ნიმუშის ანომალიები დამზადების შუალედურ ეტაპებზე, თავიდან აიცილოს დეფექტური ფენების წინსვლა და ოპტიმიზაცია მოახდინოს მოსავლიანობაზე მაღალი ფენების წარმოების ეტაპებზე.

## გავლენა ბაზარზე და ინდუსტრიაზე

კაპიტალის ინფუზია გამოიწვევს ღრმა ძვრებს გლობალურ ნახევარგამტარულ ეკოსისტემაში. ნახევარგამტარული უნივერსალური გიგანტებისთვის, როგორიცაა NVIDIA, AMD და მორგებული სილიკონის დეველოპერები, როგორიცაა Google და Amazon, დამატებითი სუბსტრატის მიწოდება უზრუნველყოფს კრიტიკულ დაზღვევას მიწოდების ჯაჭვის შეფერხებისგან. მრავალჯერადი ჰიპერსკალერებით, რომლებიც მილიარდებს ინვესტირებენ სილიკონის საკუთრებაში არსებულ პროგრამებში, სუბსტრატის წარმოების გამოყოფილი სიმძლავრის უზრუნველყოფა აუცილებელი წინაპირობა გახდა მონაცემთა ცენტრის მრავალწლიანი განლაგების მიზნების მისაღწევად.

სამხრეთ კორეაში, 3,1 მილიარდი დოლარის შიდა ინვესტიცია აძლიერებს ეროვნულ ინდუსტრიულ სტრატეგიებს, რომლებიც მიზნად ისახავს ყოვლისმომცველი შიდა ნახევარგამტარული ეკოსისტემის შექმნას, რომელიც მოიცავს დიზაინს, წარმოებას, შეფუთვას და მასალებს. მთავრობის წარმომადგენლები მიესალმნენ Sejong-ის პროექტს, როგორც ქვაკუთხედის ინიციატივას, რომელიც ამაგრებს მაღალი ღირებულების ელექტრონიკის წარმოებას და ქმნის ათასობით სპეციალიზებულ საინჟინრო სამუშაოს.

კონკურენტული კომპონენტების ლანდშაფტისთვის, განცხადება აძლიერებს ზეწოლას დამკვიდრებულ იაპონურ სუბსტრატის მოქმედ კომპანიებზე. კომპანიებმა, როგორიცაა Ibiden და Shinko, უნდა შეაფასონ, დააჩქარონ თუ არა საკუთარი კაპიტალის ხარჯვის ციკლები ბაზრის წილის დასაცავად. მნიშვნელოვანი ინვესტიცია ასევე ქმნის უზარმაზარ კომერციულ შესაძლებლობებს ზედა დინების აღჭურვილობისა და მასალების მომწოდებლებისთვის, რაც ზრდის მოთხოვნას Ajinomoto Build-up Film-ზე (ABF), ლაზერულ საბურღი აპარატზე და მოწინავე ელექტრული ქიმიის შესახებ.

## რას უნდა დავაკვირდეთ შემდეგ

უახლოეს პერსპექტივაში, ინდუსტრიის ანალიტიკოსები ყურადღებით შეისწავლიან გლობალური მსხვილი ტექნოლოგიების მომხმარებლების ვინაობას, რომლებიც უზრუნველყოფენ თანაინვესტირების მხარდაჭერას Samsung-ის გაფართოებისთვის. ძირითადი პარტნიორული ხელშეკრულებების დადასტურება AI ჩიპების მწარმოებლებთან იქნება სასიცოცხლო ინდიკატორი მომავალი ბაზრის წილის განაწილების სერვერების შეფუთვის სექტორში.

ინჟინრები ასევე ყურადღებით ადევნებენ თვალყურს Samsung Electro-Mechanics-ის პარალელურ კვლევებს შუშის ბირთვის სუბსტრატებზე. მიუხედავად იმისა, რომ თავდაპირველი წარმოება მიმდინარეობს Sejong-ში, ფოკუსირებული იქნება მოწინავე ორგანულ ABF სუბსტრატებზე, ობიექტის მოდულური სუფთა ოთახის დიზაინი შექმნილია შუშის სუბსტრატის ინტეგრაციის მხარდასაჭერად, რადგან ეს ტექნოლოგია 2020-იანი წლების ბოლოს კომერციულ მზადყოფნამდე მიდის.

და ბოლოს, მაკროეკონომიკური და გეოპოლიტიკური ფაქტორები ყურადღებას იმსახურებს. სპეციალიზებული ნახევარგამტარული შეფუთვის ხელსაწყოებისთვის აღჭურვილობის მიწოდების გრაფიკი რჩება გახანგრძლივებულ დროში. რამდენად ეფექტურად მართავს სამსუნგი აღჭურვილობის ინსტალაციას, სუფთა ოთახის კვალიფიკაციას და საპილოტე ხაზის მოსავლიანობის გაზრდას 2027 წლამდე, განსაზღვრავს თუ არა სეჯონგის კომპლექსი დაგეგმილ კომერციულ წარმოების დებიუტს 2028 წლის სექტემბერში.

## წყაროები

* [Samsung Electro-Mechanics Corporate Newsroom](https://www.samsungsem.com/global/newsroom/news/view.do?id=2026092801) - ოფიციალური გამჟღავნება, რომელიც ასახავს 6,78 ტრილიონი ვონის ინვესტიციას სეჯონგსა და ვიეტნამის ობიექტებში, მიზნობრივი დასრულების თარიღებსა და კლიენტთა ვალდებულებებს.
* [BusinessKorea Semiconductor Report](https://www.businesskorea.co.kr/news/articleView.html?idxno=225890) - ინდუსტრიის ანგარიში, რომელიც აანალიზებს მრავალშრიანი FC-BGA ტექნოლოგიის საგზაო რუკას, თერმული გაფრქვევის მოთხოვნებს სასაზღვრო AI-ს და ბაზრის კონკურენციის ამაჩქარებლებს.
* [TechNode Global Hardware Analysis](https://technode.global/2026/09/28/samsung-electro-mechanics-invests-4-9-billion-fc-bga-substrates-ai/) - სუბსტრატის გამომუშავების ტექნიკური ავარია, დიდი ტანის მოთხოვნილება PU70 მმ-ზე მეტი მოთხოვნილება და PU70-ზე მეტი მოთხოვნილება. დინამიკა.

Mentions: Samsung Electro-Mechanics, ჩანგ დაკ-ჰიუნი, სეჯონგის საწარმოო კომპლექსი, იბიდენი, შინკო ელექტრიკი, TSMC

## Sources
- [Samsung Electro-Mechanics Corporate Newsroom](https://www.samsungsem.com/global/newsroom/news/view.do?id=2026092801)
- [BusinessKorea ნახევარგამტარული ანგარიში](https://www.businesskorea.co.kr/news/articleView.html?idxno=225890)
- [TechNode გლობალური აპარატურის ანალიზი](https://technode.global/2026/09/28/samsung-electro-mechanics-invests-4-9-billion-fc-bga-substrates-ai/)