# Micron Technology აფართოებს HBM და DRAM კაპიტალის ბიუჯეტს 10,77 მილიარდ დოლარამდე ფისკალურ კვარტალში.

Source: TechNewsList (https://technewslist.com)
Canonical URL: https://technewslist.com/ka/article/micron-expands-hbm-dram-capex-budget-q4-earnings-2026-10-01-morning-ka
Section: Hardware (https://technewslist.com/ka/hardware)
Author: TechNewsList
Language: ka
Published: 2026-10-01T05:43:03.802+00:00
Updated: 2026-10-01T05:43:03.964963+00:00

> Micron Technology-მა გამოაქვეყნა თავისი ფისკალური მეოთხე კვარტლის შედეგები, სადაც ასახულია აგრესიული 10,77 მილიარდი დოლარის კვარტალური კაპიტალური დანახარჯები, რათა მოხდეს მაღალი გამტარუნარიანობის მეხსიერების მასშტაბირება გენერაციული AI გამოთვლისთვის.

## TL;DR
- Micron Technology-მა გამოაქვეყნა ფისკალური მეოთხე კვარტლის შედეგები, რომელშიც ნაჩვენებია უპრეცედენტო 10,77 მილიარდი დოლარის კვარტალური კაპიტალური ხარჯების განაწილება.
- კაპიტალის ზრდა მიზნად ისახავს 12-მაღალი და 16-მაღალი მაღალი გამტარუნარიანობის მეხსიერების სტეკების მოცულობის წარმოებას AI მონაცემთა ცენტრებისთვის.
- აღმასრულებელმა ხელმძღვანელობამ დაადასტურა, რომ Micron-ის HBM-ის მთელი პროდუქცია რჩება ერთგული მომხმარებელთა მიწოდების გრძელვადიანი ხელშეკრულებების შესაბამისად.
- ფაბრიკაციის გაფართოებული ხელსაწყოები დააჩქარებს გადასვლას 1-ბეტა და ექსტრემალური ულტრაიისფერი (EUV) 1-გამა DRAM კვანძებზე აიდაჰოსა და იაპონიაში.

## Key points
- მაღალი გამტარუნარიანობის მეხსიერება (HBM3E და HBM4) წარმოიშვა, როგორც კრიტიკული შესრულების ბლოკი ჰიპერმასშტაბიანი AI სასწავლო კლასტერებში.
- Micron-ის აგრესიული ინვესტიციები არღვევს მიწოდების შეზღუდვებს, რადგან სერვერების შემქმნელები იბრძვიან მაღალი სიმკვრივის მეხსიერების პაკეტების შესაძენად.
- სილიკონის მეშვეობით (TSV) გაფართოებული შეფუთვის მოცულობა ფართოვდება ბოისში, აიდაჰოში და ჰიროშიმაში, იაპონია.
- ნახევარგამტარულმა ფირმამ გამოაცხადა ძლიერი მთლიანი მარჟის გაფართოება, რომელიც გამოწვეულია ფასების ხელსაყრელი დინამიკით მაღალი სიმკვრივის საწარმოს DRAM-ში.
- დაგეგმილია ფისკალური 2027 წლის კაპიტალური ხარჯების ასიგნებები დარჩება ამაღლებული, რადგან მოწინავე შეფუთვა მოითხოვს სუფთა ოთახის გაფართოებას.

## რა მოხდა

2026 წლის 30 სექტემბერს ნახევარგამტარების ამერიკულმა მწარმოებელმა Micron Technology-მა გამოაქვეყნა თავისი ფისკალური მეოთხე კვარტალი და მთელი წლის ფინანსური შედეგები, რაც ხაზს უსვამს კაპიტალის განაწილების აგრესიულ სტრატეგიას ხელოვნური ინტელექტის აპარატურის გლობალური მოთხოვნის დაჩქარების მიზნით. ფინანსური ანგარიშის ცენტრალური ნაწილი იყო მასიური კაპიტალური დანახარჯების ვალდებულება, რომელიც ჯამში 10,77 მილიარდ აშშ დოლარს შეადგენს მხოლოდ კვარტალში, რაც წარმოადგენს ერთ-ერთ ყველაზე მნიშვნელოვან კვარტალურ ინფრასტრუქტურულ ინვესტიციას მეხსიერების მწარმოებლის ისტორიაში.

კაპიტალის აჩქარება ძირითადად მიმართულია მაღალი გამტარუნარიანობის მეხსიერების (HBM) საწარმოო ხაზებისა და შემდეგი თაობის დინამიური შემთხვევითი წვდომის მეხსიერების (DRAM) ვაფლის წარმოების საშუალებებისკენ. Micron-ის ხელმძღვანელობამ დაადასტურა, რომ მომხმარებელთა მოთხოვნამ მის 24 გიგაბაიტიან 8 სიმაღლით და 36 გიგაბაიტიან 12 სიმაღლის HBM3E პროდუქტებზე, შემდეგი თაობის HBM4 მოდულების ადრეულ სინჯებთან ერთად, მთლიანად დაჯავშნა კომპანიის დაგეგმილი პროდუქცია 2027 წლის ბოლოს.

Micron-ის პრეზიდენტმა და მთავარმა აღმასრულებელმა დირექტორმა სანჯაი მეჰროტრამ ხაზგასმით აღნიშნა, რომ მეხსიერების გამტარუნარიანობა გახდა განმსაზღვრელი ფიზიკური შეზღუდვა თანამედროვე გამოთვლებში. მრავალ ტრილიონი პარამეტრიანი ნერვული ქსელების მხარდასაჭერად, ამაჩქარებლების წამყვან მომწოდებლებს სჭირდებათ მკვრივი, ვერტიკალურად დაწყობილი მეხსიერების არქიტექტურები, რომლებსაც შეუძლიათ მეხსიერების გამტარუნარიანობის ტერაბაიტები წამში თერმული კონვერტების გადაჭარბების გარეშე.

## რატომ არის მნიშვნელოვანი

მიუხედავად იმისა, რომ საზოგადოების ყურადღება ხელოვნური ინტელექტის ბუმში ძირითადად კონცენტრირებულია გრაფიკის დამუშავების ერთეულებზე და სპეციალიზებულ ტენსორ პროცესორებზე, მეხსიერების ქვესისტემა წარმოადგენს ტრენინგისა და დასკვნის გამტარუნარიანობის ნამდვილ კარიბჭის ფაქტორს. სასაზღვრო ფონდის მოდელები მოიხმარენ მეხსიერების უზარმაზარ კვალს; თუ პროცესორის ბირთვებს არ აქვთ წონა და აქტივაცია ტრადიციულ ავტობუსებში მონაცემთა გადაცემის მოლოდინში, სისტემის გამოყენება მკვეთრად იკლებს.

რვა, თორმეტი ან თექვსმეტი DRAM დრამის ვერტიკალურად დაწყობით მიკროსკოპული სილიკონის გავლით (TSV) და მათი დამონტაჟებით სილიკონის ინტერპოსერებზე პირველადი გამოთვლითი საყრდენის გვერდით, High Bandwidth Memory უზრუნველყოფს გადაცემის ბრძანებით უფრო მაღალ სიჩქარეს სტანდარტულ სოკეტურ მეხსიერებასთან შედარებით. თუმცა, HBM-ის წარმოება არაჩვეულებრივად რთულია, საჭიროებს სპეციალიზებულ სუფთა ოთახებს, ვაფლის ლაზერულ გათხელებას და ზუსტი მიკრო-დამაგრების შეერთებას წვრილი დეფექტების ტოლერანტობით.

![მრავალჯერადი ნახევარგამტარული პროცესორის პაკეტი, რომელიც აჩვენებს ურთიერთდაკავშირებულ სილიკონის ჩიპლეტებს და სუბსტრატის შეფუთვას](https://rkhynbcsbnkkcwgexzwg.supabase.co/storage/v1/object/public/media/api/1790832120055-i2e9k9-micron-expands-hbm-dram-capex-budget-q4-earnings-2026-10-01-morning-inside-1-302f26cdc6.webp)

Micron-ის მრავალმილიარდიანი კაპიტალის ინექცია უზრუნველყოფს მიწოდების ჯაჭვის კრიტიკულ შვებას იმ ინდუსტრიისთვის, რომელიც მუშაობს კომპონენტების მკაცრი განაწილების პირობებში. ღრუბლოვანი ჰიპერსკალერების (მათ შორის Microsoft-ის, Google-ის, Amazon-ისა და Meta-ს ჩათვლით) გიგავატის მასშტაბის AI გამოთვლითი კამპუსების აშენებით, მეხსიერების ხელმისაწვდომობა კარნახობს გლობალური ინფრასტრუქტურის განლაგების ტემპს.

## ტექნიკური დეტალები

Micron-ის კაპიტალის გაფართოების ტექნოლოგიური საფუძველი ფოკუსირებულია მის უახლესი 1-ბეტა და ექსტრემალური ულტრაიისფერი (EUV) 1-გამა DRAM პროცესის კვანძებზე. 1-ბეტა პროცესი აღწევს სიმკვრივის მკვეთრ მატებას EUV ლითოგრაფიის საჭიროების გარეშე რთული მრავალპროფილიანი ტექნიკის გამოყენებით, რაც იძლევა ინდუსტრიაში წამყვან ენერგოეფექტურობის მეტრებს. კომპანიის 12-მაღალი HBM3E მოდულები მოიხმარენ დაახლოებით 30 პროცენტით ნაკლებ ენერგიას, ვიდრე კონკურენტი მეხსიერების არქიტექტურები შესადარებელი გამტარუნარიანობით, რაც სასიცოცხლო უპირატესობაა ენერგოშეზღუდულ მონაცემთა ცენტრებში.

მისი მომავალი HBM4 არქიტექტურისთვის, Micron ამუშავებს შეფუთვის სუფთა ოთახებს ბოისში, აიდაჰოში და ჰიროშიმაში, იაპონიაში, რათა განახორციელოს პირდაპირი სპილენძ-სპილენძის ჰიბრიდული კავშირი. განსხვავებით ტრადიციული მიკრო-ბუმპის ურთიერთდაკავშირებისგან, რომლებიც წარმოადგენენ პარაზიტების წინააღმდეგობას და სიმაღლეს, ჰიბრიდული შემაერთებელი სილიციუმი კვდება პირდაპირ ატომურ დონეზე, ამცირებს ურთიერთდაკავშირების სიმაღლეს ერთ მიკრონიმდე და მკვეთრად აძლიერებს თერმული გაფრქვევას.

![დაუცველი ინტეგრირებული მიკროსქემის კვარცხლბეკი, რომელიც ავლენს მიკროსკოპულ წრედს და მავთულის კავშირებს](https://rkhynbcsbnkkcwgexzwg.supabase.co/storage/v1/object/public/media/api/1790832123890-ls6zr2-micron-expands-hbm-dram-capex-budget-q4-earnings-2026-10-01-morning-inside-2-b774eddf43.webp)

გარდა ამისა, Micron-მა გამოაცხადა, რომ მისი HBM4 საბაზისო ლოგიკური საყრდენი დამზადდება წამყვან სამსხმელო TSMC-თან მჭიდრო პარტნიორობით მოწინავე 3 ნანომეტრიან და 5 ნანომეტრიან პროცესორულ კვანძებზე. ეს ერთობლივი დაშლილი წარმოების მიდგომა საშუალებას იძლევა მორგებული ტესტის ლოგიკა და დინამიური ძაბვის სკალირება, რაც უზრუნველყოფს სიგნალის ოპტიმალურ მთლიანობას მეხსიერების დასტასა და მასპინძელ GPU-ებს შორის.

## გავლენა ბაზარზე და ინდუსტრიაზე

Micron-ის აგრესიული გაფართოება ცვლის მეხსიერების გლობალური ოლიგოპოლიის კონკურენტულ დინამიკას, რომელიც დიდი ხანია დომინირებს სამხრეთ კორეის SK Hynix და Samsung Electronics. მიუხედავად იმისა, რომ SK Hynix-მა ადრეული ლიდერობა დაიპყრო HBM3-ის საწყისი თაობების მიწოდებაში ბაზრის ლიდერი NVIDIA-სთვის, Micron-ის მაღალი პროდუქტიულობის HBM3E და სტრატეგიული მომხმარებელთა კვალიფიკაციით აყალიბებს მას, როგორც პრემიერ Tier-1 მიმწოდებელს.

ნახევარგამტარული კაპიტალური აღჭურვილობის უფრო ფართო სექტორი ასევე ახერხებს არსებითი შემოსავლის მიღებას Micron-ის კაპიტალური წვდომისგან. ხელსაწყოების შემქმნელები, რომლებიც სპეციალიზირებულნი არიან დეპონირებაში, აკრავში, ინსპექტირებაში და მოწინავე ვაფლის შეფუთვაში - Applied Materials-ის, Lam Research-ის, KLA-სა და ASML-ის ჩათვლით - განიცდიან შეკვეთის მდგრად ნაკადს, როდესაც Micron აშენებს სუფთა ოთახებს შეერთებულ შტატებსა და აზიაში.

გარდა ამისა, კაპიტალის ვალდებულება ხაზს უსვამს შიდა ნახევარგამტარების წარმოების მზარდ ეკონომიკურ გავლენას აშშ-ს ჩიპების და მეცნიერების აქტის მიხედვით. ფედერალური სუბსიდიები და სახელმწიფო სტიმულირება აიდაჰოსა და ნიუ-იორკში აქტიურად გარდაქმნის შიდა მეხსიერების წარმოებას ეროვნული ინდუსტრიული პოლიტიკის სტრატეგიულად მდგრად კომპონენტად.

## რას უნდა დავაკვირდეთ შემდეგ

მომდევნო ორი კვარტლის განმავლობაში, ფინანსური ანალიტიკოსები მონიტორინგს გაუწევენ Micron-ის წარმოების მოსავლიანობის მრუდებს 12-მაღალი HBM3E-ისთვის და მომხმარებლის საწყის კვალიფიკაციის ვადებში მისი 16-მაღალი პროტოტიპებისთვის. შეფუთვის მაღალი მოსავლიანობის შენარჩუნება გადამწყვეტი იქნება მეოთხე კვარტალში ხაზგასმული მთლიანი მარჟის გაფართოების შესანარჩუნებლად.

ინდუსტრიის დამკვირვებლები ასევე ყურადღებით ადევნებენ თვალყურს Micron-ის მეგა-ფაბ ობიექტის სამშენებლო ეტაპებს კლეიში, ნიუ-იორკში და მისი Boise R&D საპილოტე ხაზის გაფართოებას. ეს ობიექტები წარმოადგენს Micron-ის გრძელვადიანი მოწინავე DRAM საგზაო რუქის ქვაკუთხედს ათწლეულის ბოლომდე.

და ბოლოს, ბაზრის მონაწილეები უყურებენ, თუ როგორ ვითარდება მეხსიერების ფასების ტენდენციები სტანდარტულ სამომხმარებლო და საწარმოს DRAM ბაზრებზე. თუ მეხსიერების შემქმნელები განაგრძობენ სილიკონის ვაფლის გამოყოფას სტანდარტული კომპიუტერიდან და მობილური DRAM-ისგან და მაღალი მარჟის HBM სტეკების სასარგებლოდ, საქონლის მიწოდების გამკაცრებამ შეიძლება გამოიწვიოს მეხსიერების ფასის ზრდა სამომხმარებლო ელექტრონიკაში 2027 წელს.

## წყაროები

* [Micron Investor Relations](https://investors.micron.com/news-releases/news-release-details/micron-technology-reports-results-fourth-quarter-and-full-year-1) - კორპორატიული მოგების გამოშვება, რომელიც დეტალურად ასახავს ფისკალურ მეოთხე კვარტალში არსებულ შემოსავალს, ყველა წმინდა შემოსავალს და კაპიტალის სპეციფიკურ შემოსავალს.
* [Reuters Technology](https://www.reuters.com/technology/micron-technology-boosts-hbm-capex-strong-ai-chip-demand-2026-09-30/) - ბაზრის ანგარიშები ხელოვნური ინტელექტის მეხსიერების მოთხოვნილების ზრდაზე, გაყიდული სიმძლავრის შესახებ 2027 წლის ბოლოს და Idaho-ს დაძველებაზე.
* [AnandTech](https://www.anandtech.com/show/21498/micron-q4-2026-financial-results-hbm-capex-surge) - Micron 1-ბეტა და 1-გამა DRAM კვანძების ტექნიკური ანალიზი და გაფართოებული სილიკონის დაწყობის არქიტექტურის საშუალებით (TSV)

Mentions: მიკრონი ტექნოლოგია, სანჯაი მეჰროტრა, NVIDIA, TSMC

## Sources
- [მიკრონი ინვესტორებთან ურთიერთობა](https://investors.micron.com/news-releases/news-release-details/micron-technology-reports-results-fourth-quarter-and-full-year-1)
- [Reuters ტექნოლოგია](https://www.reuters.com/technology/micron-technology-boosts-hbm-capex-strong-ai-chip-demand-2026-09-30/)
- [AnandTech](https://www.anandtech.com/show/21498/micron-q4-2026-financial-results-hbm-capex-surge)