# Samsung pronostica que la persistente escasez global de DRAM y HBM se extenderá hasta 2028

Source: TechNewsList (https://technewslist.com)
Canonical URL: https://technewslist.com/es/article/samsung-forecasts-global-memory-ram-shortage-extending-to-2028-2026-10-29-nig-es
Section: Hardware (https://technewslist.com/es/hardware)
Author: TechNewsList
Language: es
Published: 2026-10-29T18:19:46.949+00:00
Updated: 2026-10-29T18:19:46.951671+00:00

> Samsung Electronics ha advertido a los socios de la industria que la grave escasez global de DRAM y High Bandwidth Memory persistirá hasta al menos 2028 debido a la demanda de IA.

## TL;DR
- Samsung Electronics informó a los socios de hardware que la escasez mundial de suministro de DRAM y HBM se extenderá al menos hasta 2028.
- Las fábricas de semiconductores están trasladando la capacidad avanzada de obleas de silicio a High Bandwidth Memory de múltiples pilas para aceleradores de IA.
- Los módulos de servidor empresarial y la RAM de PC de consumo enfrentan graves restricciones de suministro y costos de adquisición cada vez mayores.

## Key points
- El liderazgo ejecutivo de Samsung Device Solutions proyectó una escasez persistente de memoria durante cuatro años calendario.
- Los gastos de capital sin precedentes en centros de datos a hiperescala han consumido casi todas las líneas de empaquetado HBM3E y HBM4 proyectadas.
- La reasignación del espacio de las salas blancas lejos de la memoria DDR5 estándar ha provocado que los precios de los contratos en el mercado spot aumenten más del 60 por ciento.
- Los fabricantes de equipos originales de electrónica de consumo enfrentan plazos de fabricación prolongados y compresión de márgenes en sus líneas de productos móviles y de PC.
- Las inversiones masivas en fábricas de semiconductores totalmente nuevas en Corea del Sur y Estados Unidos no alcanzarán una producción en volumen hasta 2028.

## Qué pasó

Samsung Electronics ha emitido un sombrío pronóstico plurianual a los socios globales de hardware tecnológico, advirtiendo que la grave escasez de memoria dinámica de acceso aleatorio (DRAM) y High Bandwidth Memory (HBM) especializada persistirá al menos hasta 2028. La proyección, comunicada durante cumbres a puertas cerradas sobre la cadena de suministro en Seúl, subraya el déficit estructural creado a medida que los fabricantes de chips de memoria desvían una capacidad de fabricación sin precedentes hacia una infraestructura de inteligencia artificial a hiperescala.

![Sala limpia de semiconductores avanzada con vía aérea robótica que transporta cápsulas de obleas de silicio.](https://technewslist.com/storage/v1/object/public/media/api/1793297176587-cclg9t-samsung-forecasts-global-memory-ram-shortage-extending-to-2028-2026-10-29-night-inside-1-4faa9bfa2d.webp)
*Sala blanca de fabricación de semiconductores que asigna líneas de fotolitografía al embalaje de memoria.*

Según los detalles informativos compartidos con los fabricantes de equipos originales (OEM) empresariales, la división de semiconductores de Samsung espera que la demanda de obleas de memoria supere la oferta mundial de salas blancas tanto en el segmento de servidores DDR5 estándar como en las arquitecturas HBM de próxima generación. A pesar de los miles de millones de dólares en gastos de capital planificados en Corea del Sur y América del Norte, los ejecutivos de Samsung advirtieron que los plazos de construcción física, los retrasos en las herramientas de fotolitografía ultravioleta extrema (EUV) y los rendimientos de los envases impedirán un alivio neto significativo del suministro durante los próximos treinta y seis meses.

El anuncio confirma los crecientes temores de la industria de que el auge de la informática con IA esté provocando la restricción ininterrumpida más prolongada del suministro de memoria en la historia moderna de los semiconductores.

## Por qué importa

Los semiconductores de memoria representan el cuello de botella fundamental en el rendimiento de las cargas de trabajo computacionales modernas. Si bien las unidades de procesamiento de gráficos y los aceleradores tensoriales personalizados han captado la atención de los titulares, estos procesadores no pueden funcionar sin decenas de gigabytes de memoria ultrarrápida apilados estrechamente a lo largo de sus intercaladores de silicio.

Para cumplir con las órdenes de compra masivas de los hiperescaladores de la nube que construyen clústeres de IA de vanguardia, Samsung, SK Hynix y Micron han reasignado agresivamente líneas avanzadas de fabricación de silicio hacia pilas HBM de 12 y 16 capas. Sin embargo, producir una sola oblea de HBM consume aproximadamente tres veces el área de la oblea de silicio en bruto de la memoria DDR5 convencional debido a las interconexiones a través de silicio (TSV) y las estructuras de disipación térmica.

Esta canibalización estructural ha matado de hambre al ecosistema informático convencional. Los fabricantes de servidores que construyen infraestructura de nube empresarial, los fabricantes de computadoras personales que ensamblan computadoras portátiles para consumidores y los proveedores de teléfonos inteligentes ahora compiten por un conjunto severamente limitado de matrices de memoria estándar, lo que eleva los precios de los contratos y alarga los plazos de entrega de los proveedores en todo el mundo.

## Detalles técnicos

Los factores técnicos que impulsan el pronóstico de escasez prolongada de Samsung se centran en los cuellos de botella de los envases de silicio avanzado y la complejidad litográfica:

![Gráfico de velas financieras que ilustra los precios al contado de los componentes volátiles y las tendencias de oferta del mercado.](https://technewslist.com/storage/v1/object/public/media/api/1793297177029-oayro9-samsung-forecasts-global-memory-ram-shortage-extending-to-2028-2026-10-29-night-inside-2-4cc25f4aa4.webp)
*Los precios de los contratos de memoria empresarial reflejan déficits sostenidos de suministro de componentes durante varios años.*

1. **Multiplicadores de huella de silicio**: la fabricación de memoria HBM3E y HBM4 de próxima generación requiere matrices lógicas de base especializadas y apilamiento 3D vertical, lo que reduce la producción total de obleas para módulos básicos DDR5 y LPDDR6 en más de un 35 por ciento por línea de sala limpia.
2. **Rendimiento de empaque avanzado**: Apilar dieciséis matrices de memoria con precisión de nivel micrométrico utilizando técnicas avanzadas de microbump y unión híbrida presenta desafíos de rendimiento, lo que requiere que los fabricantes de memorias destinen una superficie sustancial de sala limpia a estaciones de control de calidad y retrabajo.
3. **Plazos de entrega de litografía EUV**: La expansión de las líneas de fabricación de DRAM de menos de 10 nm requiere máquinas de litografía EUV de alta NA fabricadas exclusivamente por ASML, que siguen sujetas a retrasos en la fábrica de varios años.
4. **Restricciones térmicas y de energía**: Los módulos de servidor de alta densidad requieren diseños novedosos de reguladores de voltaje y disipadores de calor para gestionar la disipación térmica localizada, lo que ralentiza aún más el rendimiento del embalaje final.

Debido a que estos desafíos de fabricación no pueden resolverse mediante la optimización del software o cambios temporales de horas extras, expandir la capacidad agregada de silicio requiere la construcción de instalaciones de fabricación de semiconductores completamente nuevas desde cero.

## Impacto en el mercado / la industria

Las implicaciones del pronóstico de escasez de varios años de Samsung repercuten en todo el panorama de la tecnología de hardware. Los departamentos de TI empresariales ya están revisando las asignaciones presupuestarias a medida que aumentan los precios de la RAM de los servidores, lo que obliga a los operadores de centros de datos corporativos a extender los ciclos de vida operativos de los clústeres de computación existentes en lugar de adquirir nuevas flotas de hardware.

En el sector de la electrónica de consumo, los fabricantes de dispositivos se enfrentan a una dolorosa inflación en la lista de materiales. Los fabricantes de PC y los OEM móviles que anteriormente planeaban establecer 32 GB y 64 GB de RAM como configuraciones de referencia estándar en los niveles de productos premium se están viendo obligados a conservar niveles de 16 GB o pasar aumentos sustanciales de precios a los consumidores finales. Los márgenes de hardware se enfrentarán a una compresión persistente durante el período 2026-2028.

Al mismo tiempo, el poder de fijación de precios sostenido del que disfrutan los productores de memorias está generando un flujo de caja libre récord para Samsung y sus pares regionales. Estos ingresos se están reinvirtiendo en ampliaciones masivas de fundiciones, lo que impulsa el gasto en bienes de capital en los sectores de materiales y equipos de semiconductores.

## Qué observar ahora

A medida que se profundiza la crisis de memoria, los analistas de la industria están monitoreando varios hitos operativos y comerciales críticos:

- **Cronogramas de unión híbrida de HBM4**: Progreso del rendimiento en la transición de Samsung a la unión híbrida para la producción en masa comercial de HBM4 programada para finales de 2026.
- **Negociaciones de precios de contratos**: ajustes trimestrales de precios de contratos entre proveedores de nube de nivel 1 y productores de memoria coreanos para DIMM de servidores DDR5 empresariales.
- **Hitos de construcción fabulosa**: actualizaciones del progreso en los complejos de fabricación de semiconductores Pyeongtaek Line 4 de Samsung y Taylor, Texas, a medida que se completa la construcción de la carcasa.
- **Nivel de hardware para el consumidor**: si los principales fabricantes de teléfonos inteligentes y portátiles anuncian aumentos de precios minoristas o rebajan las especificaciones básicas de RAM en las próximas exhibiciones de hardware.

## Fuentes

Los datos de la cadena de suministro, los pronósticos de la empresa y los análisis de la industria del hardware en este informe están respaldados por informes de tecnología primaria:

- **The Verge Hardware Desk**: Informe de Sean Hollister que revela las previsiones internas de Samsung que proyectan una escasez global de RAM y HBM que se extenderá hasta 2028.
- **The Verge Device Reporting**: Análisis de las presiones de la cadena de suministro de electrónica de consumo y los desafíos de integración de componentes de hardware.
- **Cobertura de infraestructura de Ars Technica**: investigación de gastos de capital en infraestructura tecnológica global, construcción de centros de datos e inversiones en fabricación de semiconductores.

Mentions: Samsung, Samsung Electronics, High Bandwidth Memory, DRAM Supply, Semiconductor Fabs, Hyperscale Infrastructure

## Sources
- [El escritorio de hardware Verge](https://www.theverge.com/tech/1022242/samsungs-expecting-the-ram-shortage-to-last-until-at-least-2028)
- [Informes del dispositivo Verge](https://www.theverge.com/tech/1020403/everything-announced-at-amazons-october-2026-hardware-launch)
- [Cobertura de infraestructura de Ars Technica](https://arstechnica.com/gadgets/2026/10/as-us-ties-fray-europe-plans-first-undersea-cable-link-to-greenland/)