# ON Semiconductor Cancela la expansión de dos mil millones de dólares Silicon Carbide

Source: TechNewsList (https://technewslist.com)
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Author: TechNewsList
Language: es
Published: 2026-11-08T06:13:27.344+00:00
Updated: 2026-11-08T06:13:27.346392+00:00

> Silicon Carbide: El proveedor líder de chips de automoción ON Semiconductor ha desechado planes para una planta de fabricación de carburo de silicio de dos mil millones de dólares proyectada en el Czech Republic, frenando el gasto de capital mientras la adopción de vehículos...

## TL;DR
- Silicon Carbide: ON Semiconductor canceló su expansión proyectada de fabricación de carburo de silicio de $2 mil millones en Roznov, Czech Republic.
- El fabricante de chips declaró que las operaciones de fabricación existentes y la mano de obra local actual continuarán sin interrupciones.
- La cancelación pone de relieve una reducción más amplia del gasto de capital en toda la cadena de suministro de semiconductores para automóviles.
- Los fabricantes de automóviles han reducido los objetivos de producción de vehículos eléctricos a corto plazo, lo que ha ralentizado la demanda de chips de potencia de banda ancha.

## Key points
- Silicon Carbide: El proyecto de instalación checa de varios miles de millones de dólares tenía por objeto servir de centro de fabricación de obleas de carburo de silicio en Europa.
- Los fabricantes de automóviles están ampliando los ciclos de vida del tren motor híbrido, reduciendo la demanda inmediata de inversores SiC de alto costo.
- ON Semiconductor está preservando la liquidez del balance optimizando la capacidad de los fabs actuales de América del Norte y Asia.
- La decisión sigue ajustes de capacidad similares por parte de fabricantes de chips de potencia de pares, lo que indica el fin de las adiciones de fab de obleas especulativas.
- Silicon Carbide: El carburo de silicio sigue siendo vital para la carga rápida de alta tensión DC, pero las adiciones de capacidad a corto plazo han superado la absorción actual.

## Qué pasó

El fabricante mundial de chips de energía y detección ON Semiconductor ha cancelado oficialmente los planes para una expansión proyectada de dos mil millones de dólares de carburo de silicio (SiC) en Roznov pod Radhostem, Czech Republic. El proyecto multimillonario, que fue presentado inicialmente como una piedra angular de la inversión europea para producir semiconductores de alta tensión para vehículos eléctricos y sistemas de energía renovable, ha sido archivado tras un examen exhaustivo de la capacidad de fabricación mundial y las trayectorias de demanda automotriz.

Los representantes de las empresas confirmaron que si bien el enorme proyecto de gasto de capital ha sido abandonado, las operaciones de procesamiento de obleas existentes y los actuales niveles de empleo en el sitio establecido de Roznov continuarán ininterrumpidamente.La decisión viene después de varios cuartos de señales de demanda cambiante de fabricantes de automóviles europeos y norteamericanos, que han moderado sus programas de producción de baterías eléctricas a corto plazo a favor de carteras de modelos híbridos enchufadas extendidas.

![High-resolution die photography of a semiconductor integrated circuit showcasing microscopic architecture.](https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/f/fc/PIC16C505-HD.jpg)
*High-resolution die photography of a semiconductor integrated circuit showcasing microscopic architecture.*

La cancelación representa una de las mayores reducciones de semiconductores industriales en Europa este año, lo que supone un revés para las aspiraciones regionales en virtud de la European Chips Act, que tenía por objeto duplicar la cuota mundial de fabricación de chips del continente hasta el 20% para 2030 a través de generosos paquetes de subvenciones estatales y marcos de permisos acelerados.

## Por qué importa

El carburo de silicio ha sido aclamado durante mucho tiempo como el principal material semiconductor de banda ancha necesario para revolucionar la electrónica de potencia moderna. En comparación con los transistores de campo (MOSFETs) y transistores bipolares de puerta aislada (IGBTs), los dispositivos de carburo de silicio funcionan con tensiones de avería sustancialmente más altas, cambian a frecuencias significativamente más rápidas y disipan mucha menos energía térmica. En vehículos eléctricos, la sustitución de inversores de carburo de silicio en unidades de tracción produce ganancias de eficiencia que se traducen directamente en una gama de vehículos extendida y un peso reducido de baterías.

Sin embargo, la síntesis de las petancas de cristal de carburo de silicio de alta pureza y la fabricación de obleas de sustrato de ocho pulgadas libres de defectos es un esfuerzo de fabricación excepcionalmente complejo y de gran intensidad de capital.Durante la crisis postpandémica de la cadena de suministro, los fabricantes de automóviles mundiales firmaron agresivos acuerdos de reserva de capacidad a largo plazo con proveedores de semiconductores de energía, alentando a los proveedores a abrir camino en proyectos masivos de tecnología ecológica.

A medida que las curvas de adopción de los vehículos eléctricos de batería se desaceleraron durante 2025 y 2026, esas agresivas previsiones de volumen no se materializaron al ritmo previsto. Al desconectar la expansión checa de dos mil millones de dólares, ON Semiconductor se está moviendo decisivamente para proteger los márgenes de operación y preservar el flujo de efectivo corporativo libre en lugar de arriesgarse a poner en línea una costosa capacidad de sala limpia subutilizada durante una recesión cíclica del automóvil.

## Detalles técnicos

El desafío técnico fundamental de la fabricación de carburo de silicio se centra en la dinámica de crecimiento del cristal físico. Mientras que los lingotes de silicio tradicionales se cultivan utilizando el método maduro Czochralski, donde el silicio fundido a aproximadamente 1.400 grados Celsius se tira en boules cilíndricos uniformes en pocos días, el carburo de silicio no se puede fundir a presión atmosférica. En cambio, los fabricantes de cristales deben utilizar técnicas de transporte de vapor físico (PVT) o sublimación que funcionen a temperaturas extremas superiores a 2.200 grados Celsius dentro de hornos de grafito de vacío especializados.

En el transporte físico de vapores, los polvos de silicio y de carbono son sublimes y se depositan lentamente en un cristal de semilla durante varias semanas, produciendo discos de cristal relativamente cortos propensos a defectos cristalográficos, microtubos y dislocaciones de planos basales. Estos defectos estructurales degradan la resistencia a la rotura de alto voltaje y deprimen los rendimientos de la fabricación, lo que resulta en costos de procesamiento de obleas varias veces mayores que el silicio convencional.

![Detailed microphotograph of semiconductor silicon die showing internal circuit layout.](https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/d/d0/PIC12C508-HD.jpg)
*Detailed microphotograph of semiconductor silicon die showing internal circuit layout.*

Además, la industria mundial de semiconductores está navegando activamente una costosa transición técnica de obleas de carburo de silicio de seis pulgadas (150 mm) a ocho pulgadas (200 mm). Mientras que los sustratos de ocho pulgadas aumentan sustancialmente el número de troqueles utilizables por oblea y mejoran la economía general de la fábrica, el equipo de herramientas, la planificación química-mecánica (CMP) y los reactores de deposición epitaxial necesarios para procesar obleas más grandes y frágiles requieren miles de millones de dólares en inversiones de capital inicial que exigen una utilización garantizada de gran volumen de fábrica para amortizar.

## Impacto en el mercado / la industria

La cancelación de ON Semiconductor reverbera en el panorama competitivo de los semiconductores de potencia más amplio, que incluye a importantes competidores como STMicroelectronics, Wolfspeed, Infineon Technologies y Rohm Semiconductor. Wolfspeed y otros fabricantes de puro juego SiC han encontrado de manera similar una severa tensión en los balances y presiones de consolidación fab, ya que los precios de las obleas disminuyeron en medio de la expansión de la capacidad de fundición nacional china.

Los fabricantes de semiconductores chinos, fuertemente subsidiados por los fondos nacionales de desarrollo industrial, han acelerado la puesta en marcha de fundiciones de carburo de silicio de seis y ocho pulgadas, reduciendo sustancialmente los precios globales para los MOSFET de potencia de grado industrial estándar.Mientras que los fabricantes de automoción mantienen estrictos estándares de calificación que favorecen a los proveedores occidentales, la aparición de alternativas de bajo costo ha reducido las primas de precios de los fabricantes de chips occidentales previamente comandadas.

Para los políticos industriales europeos, la pérdida de la expansión de Roznov subraya las limitaciones de los incentivos gubernamentales a los subsidios cuando la demanda comercial macroeconómica flaquea. Sin compromisos de volumen multianuales garantizados de los fabricantes regionales de equipos originales automotores europeos, las corporaciones mundiales de semiconductores priorizarán constantemente la disciplina del capital sobre los objetivos geopolíticos de localización.

## Qué observar ahora

Los inversores y los planificadores de la cadena de suministro supervisarán la próxima conferencia de ingresos del cuarto trimestre de ON Semiconductor para obtener detalles adicionales sobre la orientación revisada del gasto de capital para 2027. Los analistas de la industria examinarán si la empresa planea nuevas consolidaciones o cambios estructurales hacia asociaciones fab-lite de fabricación para categorías de productos maduros.

Los equipos de compras automotrices también rastrearán si los proveedores pares como STMicroelectronics e Infineon siguen el mismo ejemplo con postergaciones de capacidad. A medida que las hojas de ruta globales de electrificación automotriz se realinean hacia arquitecturas híbridas y química de baterías de próxima generación, la industria de semiconductores de energía continuará recalibrando su huella de fabricación física para igualar los cronogramas realistas de adopción al consumidor.

## Fuentes

- [Briefs News](https://www.briefs.co/news/on-semiconductor-cancels-up-to-2-billion-czech-expansion/) - Informando sobre ON Semiconductor cancelando su proyectada expansión de carburo de silicio de $2 mil millones en Roznov, Czech Republic.
- [ON Semiconductor Corporate Profile](https://en.wikipedia.org/wiki/Onsemi) - Historia corporativa, huella de fabricación y cartera de productos de semiconductores de potencia para Onsemi.
- [Silicon Carbide Materials Science](https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_carbide) - Propiedades físicas, resistencia a la rotura de alta tensión y eficiencias electrónicas de potencia de las obleas SiC de banda ancha.

* Electric Vehicles

* Semiconductors

Mentions: ON Semiconductor, Silicon Carbide, Czech Republic, Electric Vehicles, Semiconductor Manufacturing

## Sources
- [Briefs News](https://www.briefs.co/news/on-semiconductor-cancels-up-to-2-billion-czech-expansion/)
- [ON Semiconductor Corporate Profile](https://en.wikipedia.org/wiki/Onsemi)
- [Silicon Carbide Materials Science](https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_carbide)