# ASML y TSMC forman una alianza industrial para la transición de EUV de alto NA a máscaras fotográficas de 12 pulgadas

Source: TechNewsList (https://technewslist.com)
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Author: TechNewsList
Language: es
Published: 2026-09-09T06:08:46.804+00:00
Updated: 2026-09-09T06:08:47.342559+00:00

> ASML, TSMC y Samsung unieron fuerzas para desarrollar una infraestructura de fotomáscara de 12 pulgadas, rompiendo los límites de la retícula para los procesadores monolíticos de IA de próxima generación.

## TL;DR
- El monopolio de litografía ASML formó una alianza industrial con TSMC y Samsung para pasar de fotomáscaras de 6 a 12 pulgadas.
- La transición revolucionaria apunta a sistemas de litografía EUV High-NA que funcionan con lentes ópticas de apertura numérica de 0,55.
- Las máscaras estándar de 6 pulgadas redujeron a la mitad el campo de exposición en las herramientas de alta NA, lo que obligó a uniones complejas que redujeron el rendimiento de los troqueles en los procesadores grandes.
- La coalición esbozó un cronograma de varias fases que apunta a la operación de la línea piloto para 2031 y la preparación total para la producción para 2033.

## Key points
- Los líderes de fabricación de semiconductores anunciaron una iniciativa conjunta para establecer un ecosistema de fotomáscara de 12 pulgadas de mayor formato.
- La alianza reúne a fabricantes de herramientas, fabricantes de máscaras en bruto, proveedores ópticos y fundiciones para reemplazar los estándares de seis pulgadas de hace cuarenta años.
- Se prevé que la transición a retículas de doce pulgadas aumentará el rendimiento de las obleas del escáner de alta NA y eliminará las penalizaciones por unión de exposición.
- TSMC confirmó que inicialmente implementará High-NA EUV con máscaras estándar de 6 pulgadas en 2030 antes de escalar máscaras de 12 pulgadas en 2033.
- Samsung Electronics dedicó recursos de ingeniería para estandarizar las películas químicas y los soportes de manipulación al vacío para el nuevo formato.
- El avance permitirá a los diseñadores de chips fabricar aceleradores de inteligencia artificial monolíticos y masivos que superen los límites totales de la retícula.

## Qué pasó

En un anuncio tecnológico trascendental que remodelará la fabricación de semiconductores de vanguardia durante las próximas dos décadas, el líder holandés en sistemas de litografía ASML Holding N.V. anunció un consorcio para toda la industria junto con Taiwan Semiconductor Manufacturing Company y Samsung Electronics. La coalición se ha comprometido a desarrollar y estandarizar una revolucionaria infraestructura de fotomáscara de doce pulgadas para sistemas de litografía ultravioleta extrema de alta apertura numérica, rompiendo con el formato de retícula cuadrada de seis pulgadas que ha dominado la industria mundial de microchips durante más de cuarenta años.

El acuerdo histórico se presentó en una conferencia internacional de litografía, en la que ejecutivos de ASML, TSMC y Samsung describieron una hoja de ruta coordinada para resolver las limitaciones de exposición física que surgieron con la llegada de la litografía de 0,55 NA. El consorcio estableció un objetivo operativo para implementar una línea piloto de fotomáscara funcional de doce pulgadas para 2031, allanando el camino para la preparación completa del sistema de litografía comercial y la fabricación de obleas en gran volumen para 2033.

![Arquitectura de columna de proyección óptica del escáner de litografía ASML High-NA EUV utilizada en instalaciones avanzadas de fabricación de semiconductores.](https://rkhynbcsbnkkcwgexzwg.supabase.co/storage/v1/object/public/media/api/1788932382610-61hiru-asml-tsmc-coalition-12-inch-photomasks-high-na-euv-2026-09-09-morning-inside-1-f801b88846.webp)

## Por qué importa

Para llevar los tamaños de las características de los transistores por debajo de dos nanómetros y hacia los nodos subangstrom, ASML diseñó escáneres EUV High-NA con una apertura numérica aumentada de 0,55, en comparación con 0,33 en los sistemas EUV estándar. Sin embargo, la física dictaba una compensación óptica: para evitar que los rayos de luz incidan en la retícula en ángulos demasiado pronunciados para los recubrimientos reflectantes multicapa, ASML implementó una ampliación anamórfica, ampliando la imagen cuatro veces en dirección horizontal pero ocho veces en dirección vertical.

En retículas estándar de seis pulgadas, esta geometría óptica reduce efectivamente el tamaño del campo de exposición a la mitad, de veintiséis por treinta y tres milímetros a veintiséis por dieciséis milímetros y medio. Para los aceleradores de inteligencia artificial de vanguardia modernos y las matrices informáticas de alto rendimiento que regularmente superan los límites físicos de una retícula completa, los diseñadores de chips se vieron obligados a dividir matrices individuales en dos exposiciones de máscara separadas. Este proceso, conocido como costura de retícula, introduce graves penalizaciones por superposición litográfica, ralentiza el rendimiento de las obleas hasta en un cuarenta por ciento y reduce el rendimiento de fabricación.

## Detalles técnicos

El cambio a fotomáscaras de doce pulgadas elimina por completo la penalización de la exposición anamórfica al proporcionar cuadruplicar la superficie de las retículas existentes. Un sustrato de doce pulgadas permite que la óptica del escáner proyecte un campo de exposición completo y sin unir en una sola pasada de escaneo continuo, restaurando la economía de impresión de campo completo para diseños de procesadores monolíticos masivos. Esta capacidad es fundamental para los procesadores de centros de datos de próxima generación que integran docenas de núcleos tensoriales especializados y amplias interfaces de memoria en matrices de sustrato único.

La transición a un formato de doce pulgadas requiere una revisión completa del ecosistema global de fotomáscaras. Los fabricantes de equipos deben diseñar nuevos escritores de máscaras de haces múltiples capaces de depositar billones de píxeles de patrones con una precisión de colocación subnanométrica en grandes espacios en blanco de cuarzo. Al mismo tiempo, los proveedores de robótica para salas blancas deben diseñar sistemas automatizados especializados de manipulación de materiales y cápsulas de vacío selladas capaces de transportar pesadas retículas de doce pulgadas sin contaminación de partículas ni vibraciones mecánicas durante los ciclos de transferencia de alta aceleración.

![Sede corporativa y campus de investigación de ASML en Veldhoven, Países Bajos, que impulsan la innovación en litografía EUV.](https://rkhynbcsbnkkcwgexzwg.supabase.co/storage/v1/object/public/media/api/1788932384847-7ilh1w-asml-tsmc-coalition-12-inch-photomasks-high-na-euv-2026-09-09-morning-inside-2-fc6a609618.webp)

## Impacto en el mercado / la industria

La formación de la alianza subraya las astronómicas inversiones de capital necesarias para sostener la Ley de Moore en los nodos de vanguardia. Al asociarse tempranamente, ASML, TSMC y Samsung están amortizando los gastos de desarrollo y brindando a los proveedores de herramientas la certeza de la demanda necesaria para reequipar las líneas de fabricación. Las fundiciones comerciales que no participan en la estandarización del formato de doce pulgadas corren el riesgo de quedarse atrás en la carrera por producir procesadores de IA monolíticos económicamente viables en la década de 2030.

Para las empresas de diseño de chips sin fábrica, incluidas Nvidia, Apple y AMD, la hoja de ruta proporciona una visibilidad crucial de los futuros horizontes arquitectónicos. Saber que la litografía de campo completo sin coser se restaurará para 2033 permite a los microarquitectos planificar ambiciosos diseños monolíticos de transistores multimillonarios sin tener que comprometer la latencia de interconexión entre matrices ni depender completamente de complejas topologías de empaquetado de múltiples chips para aplicaciones avanzadas.

## Qué observar ahora

Durante los próximos trimestres, la atención de la industria se centrará en la inclusión de proveedores líderes de máscaras en bruto, como Hoya y AGC, y fabricantes de herramientas de inspección como KLA en los grupos de trabajo del consorcio. El desarrollo de espacios en blanco de vidrio de baja expansión térmica de doce pulgadas y libres de defectos y películas resistentes a los rayos UV representará los principales obstáculos técnicos durante la fase inicial de investigación.

Además, se seguirá de cerca el cronograma de implementación de TSMC para las primeras herramientas High-NA. TSMC reafirmó que su primera generación de producción High-NA EUV, programada para un volumen comercial alrededor de 2030 para sus nodos A14 y posteriores, utilizará retículas estándar de seis pulgadas con recetas de costura optimizadas antes de pasar a la arquitectura completa de doce pulgadas cuando la herramienta madure en 2033.

## Fuentes

* Sala de prensa de ASML: [TSMC y ASML anuncian la transición de la industria a fotomáscaras de gran formato para High-NA EUV](https://www.asml.com/en/news/press-releases/2026/tsmc-and-asml-announce-industry-transition-to-large-format-photomasks-for-high-na-euv)
* TechNode Global: [ASML y TSMC forman una alianza para crear fotomáscaras de 12 pulgadas que impulsen High-NA EUV](https://technode.global/2026/09/08/asml-tsmc-large-format-photomasks-high-na-euv/)
* Noticias de Taiwán: [ASML y TSMC unen fuerzas para construir máscaras fotográficas de 12 pulgadas para chips avanzados](https://www.taiwannews.com.tw/news/5839201)

Mentions: ASML Holding NV, Empresa de fabricación de semiconductores de Taiwán, Electrónica Samsung

## Sources
- [Sala de prensa de ASML](https://www.asml.com/en/news/press-releases/2026/tsmc-and-asml-announce-industry-transition-to-large-format-photomasks-for-high-na-euv)
- [TechNode Global](https://technode.global/2026/09/08/asml-tsmc-large-format-photomasks-high-na-euv/)
- [Noticias de Taiwán](https://www.taiwannews.com.tw/news/5839201)