# Samsung und Qualcomm bilden eine 2.1D Organic Bridge Alliance, um Engpässe bei Silizium-Interposern zu umgehen

Source: TechNewsList (https://technewslist.com)
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Section: Hardware (https://technewslist.com/de/hardware)
Author: TechNewsList
Language: de
Published: 2026-09-19T11:34:44.654+00:00
Updated: 2026-09-19T11:34:44.833544+00:00

> Samsung Electro-Mechanics und Qualcomm vermarkten polymerbasierte Umverteilungssubstrate und bieten Chiplet-Verbindungen mit hoher Bandbreite ohne teure Silizium-Interposer oder Gießereiengpässe.

## TL;DR
- Samsung Electro-Mechanics und Qualcomm haben eine fortschrittliche 2.1D Organic Bridge-Verpackungsplattform für Hochleistungs-Chiplets kommerzialisiert.
- Die Architektur ersetzt teure Silizium-Interposer durch feine organische Umverteilungsschichten, die direkt in FC-BGA-Substrate eingebettet sind.
- Die Technologie erreicht Linien- und Abstandstoleranzen von 1,5 bis 2,0 Mikrometern und ermöglicht Verbindungsdichten von über 500 Linien pro Millimeter.
- Durch den Verzicht auf Silizium-Interposer werden die Kosten für die Verpackungsherstellung um etwa 40 Prozent gesenkt und gleichzeitig die Zuverlässigkeit bei thermischen Zyklen verbessert.

## Key points
- Samsung Electro-Mechanics und Qualcomm haben zwölf Monate gemeinsamer Qualifikationstests für 2.1D Organic Bridge Packaging abgeschlossen.
- Die Plattform bettet feine Polymer-Umverteilungsschichten in FC-BGA-Substrate ein, um benachbarte modulare Chiplets zu verbinden.
- Die Linien- und Abstandsgeometrien des Substrats erreichen 1,5 bis 2,0 Mikrometer und konkurrieren damit mit der Routingdichte von Siliziumbrücken bei deutlich reduzierten Herstellungskosten.
- Die Verpackungsmethode umgeht Patentbarrieren und Kapazitätsengpässe im Zusammenhang mit TSMC CoWoS-Silizium-Interposern und Intel EMIB-Brücken.
- Passende Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen Brücke und Substrat verhindern die Ermüdung des Mikrobuckel-Lötmittels bei extremen Temperaturwechseln.
- Die kommerzielle Großserienproduktion der Qualcomm Edge-KI-Produkte soll im Samsung-Werk in Busan im ersten Halbjahr 2027 beginnen.

## Was passiert ist

Samsung Electro-Mechanics und Qualcomm haben am 18. September 2026 offiziell eine gemeinsame kommerzielle Allianz geschlossen und siliziumvalidierte Produktionsmuster ihrer proprietären 2.1D Organic Bridge Packaging-Technologie vorgestellt. Die Ankündigung, die während technischer Symposien auf der KPCA-Elektronikmesse vorgestellt wurde, bestätigt, dass die beiden Halbleiterführer zwölf Monate lang Qualifizierungstests an hochdichten Multi-Die-Substraten erfolgreich abgeschlossen haben, die für die Verbindung modularer Prozessoren ohne den Einsatz teurer Silizium-Interposer konzipiert sind.

Da sich Beschleuniger für künstliche Intelligenz, mobile System-on-Chips und Edge-Prozessoren von monolithischen Chips zu modularen Chiplet-Topologien entwickelt haben, hat sich die fortschrittliche Verpackung als kritischer Engpass für die Halbleiterkosten und das Produktionsvolumen herausgestellt. Gießereien wie TSMC hatten Schwierigkeiten, die Kapazität für 2,5D-Verpackungslinien auf Silizium-Interposer-Basis wie CoWoS zu erweitern, was zu längeren Kundenvorlaufzeiten und steigenden Montagekosten in der gesamten Branche führte.

Die Samsung-Qualcomm 2.1D-Architektur ersetzt starre, passive Silizium-Interposer durch feine organische Umverteilungsschichten (RDL), die direkt in Flip-Chip Ball Grid Array (FC-BGA)-Substrate mit hoher Schichtanzahl eingebettet sind. Die resultierende Verpackungslösung bietet eine Die-to-Die-Verbindungsbandbreite, die mit herkömmlichen Siliziumbrücken mithalten kann, und senkt gleichzeitig die Montagekosten um schätzungsweise 40 Prozent.

![Mikrofotografie mit detaillierten Mikrodurchkontaktierungen und interner Kupferleiterbahnführung, eingebettet in hochdichte organische Umverteilungsschichten](https://rkhynbcsbnkkcwgexzwg.supabase.co/storage/v1/object/public/media/api/1789816411670-mim33z-samsung-qualcomm-2-1d-organic-bridge-chiplet-packaging-2026-09-19-morning-inside-1-4345f3d28c.webp)
*Geometrie der Substratspuren: Die Inspektion mit hoher Vergrößerung zeigt Kupferumverteilungsschichten und lasergebohrte Mikrodurchkontaktierungen innerhalb des organischen Trägers.*

## Warum es wichtig ist

Das größte kommerzielle Hindernis für die Einführung von Chiplets war die hohe Wirtschaftlichkeit von Silizium-Interposern. Ein Voll-Retikel-Silizium-Interposer fungiert im Wesentlichen als stromloser Siliziumchip, der unter aktiven Rechen- und Speicherchips sitzt, was zu erheblichen Wafer-Fertigungskosten, komplexen thermischen Fehlanpassungsrisiken und hohen Verpackungsfehlerraten führt.

Darüber hinaus sind alternative eingebettete Siliziumbrückenarchitekturen – allen voran die Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) von Intel – nach wie vor stark durch proprietäre Portfolios an geistigem Eigentum und geschlossene Fab-Ökosysteme belastet. Fabless-Chip-Designer, die auf der Suche nach Multi-Source-Packaging-Optionen sind, sind häufig in die Zuteilungswarteschlangen einzelner Hersteller geraten und haben nur minimalen Verhandlungsspielraum.

Durch die Pionierarbeit bei der organischen Brückentechnologie unter Verwendung standardisierter Polymerchemie, Epoxidformverbindungen und Kupferumverteilungstechniken haben Samsung Electro-Mechanics und Qualcomm einen Verpackungsweg ohne Silizium etabliert. Fabless-Halbleiterunternehmen können Standard-Front-End-Wafer von mehreren Gießereien beziehen und gleichzeitig die Backend-Chiplet-Montage in großvolumigen Substratfertigungsanlagen konsolidieren, was den Zugang zur Multi-Die-Integration mit hoher Bandbreite erheblich demokratisiert.

## Technische Details

Der technische Durchbruch, der der organischen 2.1D-Brückenplattform zugrunde liegt, besteht darin, lithografische Linien- und Abstandstoleranzen zu erreichen, die zuvor auf Reinräume in Siliziumfabriken beschränkt waren. Herkömmliche Leiterplattensubstrate erreichen selten Strukturgrößen unter zehn Mikrometern. Im Gegensatz dazu erreicht Samsungs proprietäres semi-additives Herstellungsverfahren Linienbreiten und Linienabstände von 1,5 bis 2,0 Mikrometern über fünf bis sieben Umverteilungsschichten.

![Physische Inspektion der Flip-Chip-Chip-Montage, die mit einem organischen Verpackungsträger verbunden ist, um modulare Multi-Chip-Layouts zu demonstrieren](https://rkhynbcsbnkkcwgexzwg.supabase.co/storage/v1/object/public/media/api/1789816413855-2rjn68-samsung-qualcomm-2-1d-organic-bridge-chiplet-packaging-2026-09-19-morning-inside-2-12a8632e01.webp)
*Modulares Multi-Die-Bonding: Die Flip-Chip-Gehäusearchitektur ermöglicht eine enge physische Nähe zwischen benachbarten Rechen- und Speicherchiplets.*

Die organische Brücke erreicht einen Mikro-Bump-Kontaktabstand von 35 Mikrometern, was eine Gesamtverbindungsdichte zwischen 500 und 1.000 elektrischen Verbindungen pro linearem Millimeter Chipkante ergibt. Diese Dichte liefert ausreichend parallele Signalbandbreite, um die Standardspezifikationen der physischen Ebene von Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe) zu sättigen und sorgt so für eine nahtlose Speicherkohärenz mit geringer Latenz zwischen zentralen Prozessorkernen, Grafikbeschleunigern und neuronalen Verarbeitungseinheiten.

Thermomechanisch weist die organische Polymerbrücke einen Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTE) auf, der dem umgebenden Bismaleimid-Triazin (BT)-Harzsubstrat sehr nahe kommt. Während intensiver Leistungszyklen dehnt sich die organische Brücke gleichmäßig mit der Substratplatine aus und zieht sich zusammen, wodurch die zerstörerische Lötermüdung und die Scherung von Mikrohöckern, die bei starren Silizium-Interposern auftreten, die hohen Wärmegradienten ausgesetzt sind, praktisch eliminiert werden.

## Auswirkungen auf Markt und Branche

Die Kommerzialisierung von 2.1D Organic Bridge Packaging verändert das Wettbewerbsgleichgewicht im globalen Halbleiter-Backend-Ökosystem. Qualcomm plant, die Technologie auf seinen Snapdragon-Rechenplattformen und Edge-KI-Prozessoren der nächsten Generation einzusetzen, wodurch das Unternehmen Multi-Chiplet-Leistung in mobilen Formfaktoren liefern kann, ohne die extremen Kostenaufschläge zu zahlen, die mit herkömmlichen 2,5D-Gehäusen verbunden sind.

Für Samsung etabliert sich Samsung Electro-Mechanics durch die Partnerschaft als ernstzunehmender Hauptkonkurrent für dominante taiwanesische Substrathersteller wie Unimicron und Ibiden. Durch die Kombination der Substratherstellung bei Electro-Mechanics mit schlüsselfertigen Wafertest- und Endmontagediensten im Geschäftsbereich Advanced Packaging von Samsung Foundry schafft Samsung eine überzeugende Alternative zum End-to-End-Verpackungsökosystem von TSMC.

Auch Automobilhalbleiterhersteller und Anbieter industrieller Automatisierung evaluieren die Plattform. Die überlegene Zuverlässigkeit bei thermischen Zyklen und die Widerstandsfähigkeit gegenüber mechanischen Stößen organischer Substratverpackungen machen 2.1D-Brücken besonders attraktiv für Rechenmodule in Automobilqualität, die rauen Betriebsumgebungen standhalten müssen, in denen die Gefahr von Rissen bei empfindlichen Silizium-Interposern besteht.

## Worauf man als Nächstes achten sollte

Samsung Electro-Mechanics wird die Pilotproduktion in seinem Produktionskomplex in Busan bis zum vierten Quartal 2026 hochfahren und in der ersten Hälfte des Jahres 2027 auf die großvolumige kommerzielle Produktion umstellen. Erste Ertragskennzahlen aus ersten Testfahrzeugen von Kunden werden als entscheidender Indikator für die branchenweite Einführung dienen.

Das Open Compute Project und das UCIe-Konsortium sollen im November 2026 außerdem Entwürfe von Teststandards für organische Brückenverbindungen überprüfen. Durch die Standardisierung von Konformitätstests für organische Umverteilungskanäle wird sichergestellt, dass Drittanbieter von Chiplets interoperables Silizium entwickeln können, das für die Integration organischer Substrate vorgesehen ist.

Mittlerweile beschleunigen Wettbewerber wie ASE Group und Amkor Technology ihre eigenen proprietären Programme für organische Substrate und signalisieren damit, dass die Halbleiterindustrie in eine große Ära fortschrittlicher Verpackungsinnovationen ohne Silizium eintritt.

## Quellen

- [Unternehmensmitteilung von Samsung Electro-Mechanics](https://www.samsung-sem.com/global/newsroom/news/view.do?id=20260911)– Technische Vorstellung von 2.1D Organic Bridge-eingebetteten FC-BGA-Substraten, die für die Mobil- und Rechenzentrumsverarbeitung der nächsten Generation entwickelt wurden.

- [Der Elec Semiconductor Report](https://www.thelec.net/news/articleView.html?idxno=5124)— Detaillierte Berichterstattung über Qualcomms Qualifikationstests, Redistribution-Layer-Spezifikationen und kommerzielle Ertragsmeilensteine.

- [TrendForce Erweiterte Verpackungsanalyse](https://www.trendforce.com/news/2026/09/12/qualcomm-samsung-2-1d-organic-bridge-packaging/)– Marktbewertung, in der die Wirtschaftlichkeit der organischen 2.1D-Bridge-Verpackung mit den Patentbeschränkungen von TSMC CoWoS-S und Intel EMIB verglichen wird.

- [TechPowerUp-Hardware-Rezension](https://www.techpowerup.com/326841/samsung-and-qualcomm-collaborate-on-organic-bridge-2-1d-packaging)— Architektonische Aufschlüsselung der Linienabstandstoleranzen, des Mikro-Bump-Abstands und der Leistungsabgabeleistung in organischen Substraten.

Mentions: Samsung Elektromechanik, Qualcomm, Samsung-Gießerei, TSMC, Intel

## Sources
- [Unternehmensmitteilung von Samsung Electro-Mechanics](https://www.samsung-sem.com/global/newsroom/news/view.do?id=20260911)
- [Der Elec Semiconductor Report](https://www.thelec.net/news/articleView.html?idxno=5124)
- [TrendForce Erweiterte Verpackungsanalyse](https://www.trendforce.com/news/2026/09/12/qualcomm-samsung-2-1d-organic-bridge-packaging/)
- [TechPowerUp-Hardware-Rezension](https://www.techpowerup.com/326841/samsung-and-qualcomm-collaborate-on-organic-bridge-2-1d-packaging)