# ON Semiconductor storniert Projektiert zwei Milliarden Dollar Silicon Carbide Facility Expansion Source: TechNewsList (https://technewslist.com) Canonical URL: https://technewslist.com/de/article/on-semiconductor-cancels-two-billion-dollar-silicon-carbid-2026-11-08-morning-de Section: Hardware (https://technewslist.com/de/hardware) Author: TechNewsList Language: de Published: 2026-11-08T06:18:09.052+00:00 Updated: 2026-11-08T06:18:09.137838+00:00 > Silicon Carbide: Führender Automobil-Power-Chip-Lieferant ON Semiconductor hat Pläne für eine geplante Zwei-Milliarden-Dollar-Siliziumcarbid-Fertigungsanlage im Czech Republic verschrottet, wodurch die Investitionsausgaben bei der Neukalibrierung von Elektrofahrzeugen eingedä... ## TL;DR - Silicon Carbide: ON Semiconductor kündigte die geplante Erweiterung der Siliziumkarbid-Fertigung um 2 Milliarden Dollar in Roznov, Czech Republic, an. - Der Chipmaker erklärte, dass die bestehenden Fertigungsbetriebe und die derzeitigen lokalen Arbeitskräfte ohne Unterbrechungen weiterarbeiten werden. - Die Absage hebt eine breitere Kapitalaufwandsanierung in der gesamten Lieferkette der Automobilhalbleiter hervor. - Autohersteller, die kurzfristige Ziele für die Produktion von Elektrofahrzeugen zurückskalieren, haben die Nachfrage nach Breitband-Power-Chips verlangsamt. ## Key points - Silicon Carbide: Die geplante Anlage mit mehreren Milliarden Dollar sollte als Flaggschiff für die Herstellung von Siliziumkarbid-Wafern in Europa dienen. - Die Automobilhersteller erweitern die Hybrid-Antriebslebenszyklen und reduzieren die unmittelbare Nachfrage nach kostengünstigen SiC-Wechselrichtern. - ON Semiconductor bewahrt die Bilanzliquidität durch die Optimierung der Kapazitäten in bestehenden nordamerikanischen und asiatischen Fabs. - Die Entscheidung folgt ähnlichen Kapazitätsanpassungen durch Peer-Power-Chiphersteller und signalisiert ein Ende der spekulativen Wafer-Fab-Additionen. - Silicon Carbide: Siliciumcarbid bleibt für das schnelle Hochvolt-DC-Ladewesen von entscheidender Bedeutung, aber kurzfristige Kapazitätszusätze haben die Stromaufnahme überschritten. ## Was passiert ist Der globale Hersteller von Leistungs- und Sensorchips ON Semiconductor hat offiziell die Pläne für eine geplante Erweiterung der Wafer-Fertigungsanlage für zwei Milliarden Dollar Siliziumcarbid (SiC) in Roznov pod Radhostem, Czech Republic, gestrichen. Das Multi-Milliarden-Dollar-Projekt, das ursprünglich als Eckpfeiler der europäischen Investition zur Herstellung von Hochspannungs-Leistungshalbleitern für Elektrofahrzeuge und erneuerbare Energiesysteme vorgestellt wurde, wurde nach einer umfassenden Überprüfung der globalen Fertigungskapazität und der Nachfrageentwicklung im Automobilsektor aufgegeben. Die Unternehmensvertreter bestätigten, dass das massive Investitionsprojekt zwar aufgegeben wurde, die bestehenden Waferverarbeitungsbetriebe und die aktuellen Beschäftigungsniveaus am etablierten Standort Roznov jedoch ununterbrochen weitergeführt werden. Die Entscheidung kommt nach mehreren Quartalen von wechselnden Nachfragesignalen europäischer und nordamerikanischer Automobilhersteller, die ihre kurzfristigen Batterie-Elektrofahrzeug-Produktionspläne zugunsten erweiterter Plug-in-Hybrid-Modellportfolios moderiert haben. ![High-resolution die photography of a semiconductor integrated circuit showcasing microscopic architecture.](https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/f/fc/PIC16C505-HD.jpg) *High-resolution die photography of a semiconductor integrated circuit showcasing microscopic architecture.* Die Stornierung ist eines der größten industriellen Halbleiter-Retrenchments in Europa in diesem Jahr, was einen Rückschlag auf regionale Bestrebungen im Rahmen des European Chips Act, das darauf abzielte, den globalen Chip-Produktionsanteil des Kontinents auf 20 Prozent bis 2030 durch großzügige staatliche Subventionspakete und beschleunigte Genehmigungsrahmen zu verdoppeln. ## Warum es wichtig ist Siliciumcarbid ist seit langem als das führende breitbandige Halbleitermaterial für die Revolutionierung der modernen Leistungselektronik bekannt. Im Vergleich zu herkömmlichen Silicium-Power-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) und isolierten bipolaren Transistoren (IGBTs) arbeiten Siliziumcarbid-Geräte bei deutlich höheren Ausfallspannungen, schalten bei deutlich schnelleren Frequenzen und lösen deutlich weniger thermische Energie ab. In Elektrofahrzeugen ergibt die Substitution von Siliziumcarbid-Wechselrichtern in Traktionsantriebe Effizienzgewinne, die sich direkt in erweiterte Fahrzeugbereiche und reduziertes Batteriepackgewicht übersetzen. Die Synthese hochreiner Siliziumkarbid-Kristallboules und die Herstellung fehlerfreier 8-Zoll-Substratewafer ist jedoch ein außergewöhnlich kapitalintensives und chemisch komplexes Fertigungsvorhaben. Während der Krise der Lieferkette nach der Pandemie unterzeichneten globale Autohersteller aggressive langfristige Kapazitätsreservierungsvereinbarungen mit Leistungshalbleiter-Lieferanten und ermutigten Lieferanten, bei massiven Greenfield-Fab-Projekten Fuß zu fassen. Da sich die Verbraucher-Annahmekurven für Batterie-Elektro-Fahrzeuge im Laufe der Jahre 2025 und 2026 verlangsamten, konnten diese aggressiven Volumenprognosen im projizierten Tempo nicht materialisieren. ON Semiconductor bewegt sich durch das Ziehen des Steckers an der zwei Milliarden Dollar starken tschechischen Expansion entscheidend, um die Betriebsmargen zu schützen und den freien Cashflow des Unternehmens zu erhalten, anstatt zu riskieren, während eines zyklischen Automobilabschwungs teure untergenutzte Reinraumkapazitäten online zu bringen. ## Technische Details Die grundlegende technische Herausforderung der Siliziumkarbid-Herstellung liegt in der physikalischen Kristallwachstumsdynamik. Während herkömmliche Siliziumblöcke nach der ausgereiften Czochralski-Methode angebaut werden – wobei geschmolzenes Silizium bei etwa 1.400 Grad Celsius innerhalb weniger Tage in gleichmäßige zylindrische Boule gezogen wird – kann Siliziumkarbid nicht unter atmosphärischem Druck geschmolzen werden. Stattdessen müssen Kristallhersteller physikalische Dampftransporte (PVT) oder Sublimationstechniken einsetzen, die bei extremen Temperaturen über 2.200 Grad Celsius in spezialisierten Vakuumgraphitöfen arbeiten. Unter physischem Dampftransport erheben sich Silizium- und Kohlenstoffquellenpulver über mehrere Wochen und lagern sich langsam auf einem Samenkristall ab, was zu relativ kurzen Kristallpucks führt, die für kristallographische Defekte, Mikrorohre und basale Flächenverlagerungen anfällig sind. Diese strukturellen Defekte abbauen die Widerstandsfähigkeit bei Hochspannungsausfällen und depressiven Herstellungsstanzen, was zu mehrmal höheren Wafer-Verarbeitungskosten als herkömmliches Silizium führt. ![Detailed microphotograph of semiconductor silicon die showing internal circuit layout.](https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/d/d0/PIC12C508-HD.jpg) *Detailed microphotograph of semiconductor silicon die showing internal circuit layout.* Darüber hinaus steuert die globale Halbleiterindustrie aktiv einen teuren technischen Übergang von sechs Zoll (150mm) auf acht Zoll (200mm) Siliziumcarbid-Wafern. Während acht Zoll Substrate die Anzahl der verwendbaren Stäbe pro Wafer erheblich erhöhen und die Gesamtbetriebsökonomie verbessern, benötigen Werkzeuge, chemisch-mechanische Planarisierung (CMP) Ausrüstung und Epitaxial Depositionsreaktoren, um größere, brüchige Wafer zu verarbeiten, Milliarden von Dollar an vordergründigen Kapitalinvestitionen, die eine garantierte hochvolumige Fabrikauslastung zum Amortisieren erfordern. ## Auswirkungen auf Markt und Branche Die Stornierung von ON Semiconductor hallt über die breitere Wettbewerbslandschaft von Leistungshalbleitern hinweg, zu der auch große Wettbewerber wie STMicroelectronics, Wolfspeed, Infineon Technologies und Rohm Semiconductor gehören. Wolfspeed und andere reinspielende SiC-Hersteller haben in ähnlicher Weise schwere Bilanzbelastungen und Fab-Konsolidierungsdrucke erlebt, da die Wafer-Preise inmitten der wachsenden chinesischen Gießereikapazität zurückgingen. Chinesische Halbleiterhersteller, die stark von nationalen Industrieentwicklungsfonds subventioniert wurden, haben die Inbetriebnahme von inländischen Sechs-Zoll- und Acht-Zoll-Siliziumkarbidgießereien beschleunigt, wodurch die globalen Preise für Standard-Industrie-Leistungs-MOSFETs erheblich gesenkt wurden. Während Automobil-OEMs strenge Qualifikationsstandards beibehalten, die westliche Lieferanten begünstigen, hat das Aufkommen von kostengünstigeren Alternativen die zuvor gebotenen Preisprämien für westliche Chiphersteller eingeschränkt. Für europäische industriepolitische Entscheidungsträger unterstreicht der Verlust der Roznov-Erweiterung die Grenzen staatlicher Förderanreize, wenn die makroökonomische kommerzielle Nachfrage schwindet. Ohne garantierte, mehrjährige Mengenverpflichtungen regionaler europäischer Automobil-Originalgerätehersteller werden globale Halbleiterkonzerne konsequent Kapitaldisziplin gegenüber geopolitischen Fab-Lokalisierungszielen priorisieren. ## Worauf man als Nächstes achten sollte Investoren und Supply Chain Planer werden ON Semiconductors bevorstehende Ergebniskonferenz im vierten Quartal für weitere Details zu überarbeiteten Investitionsprognosen für 2027 überwachen. Branchenanalysten werden untersuchen, ob das Unternehmen weitere Fab-Konsolidierungen oder strukturelle Verschiebungen hin zu Fab-lite-Produktionspartnerschaften für ausgereifte Produktkategorien plant. Die Beschaffungsteams von Automobilen werden auch verfolgen, ob Peer-Lieferanten wie STMicroelectronics und Infineon mit Kapazitätsverzögerungen Schritt halten. Da sich globale Fahrpläne für die Elektrifizierung von Automobilen auf hybride Architekturen und Batteriechemikalien der nächsten Generation ausrichten, wird die Leistungshalbleiterindustrie ihre physische Produktionsbilanz entsprechend den realistischen Annahmefristen für Verbraucher weiter kalibrieren. ## Quellen - [Briefs News](https://www.briefs.co/news/on-semiconductor-cancels-up-to-2-billion-czech-expansion/) - Berichterstattung über ON Semiconductor Aufhebung der geplanten Expansion von 2 Milliarden US-Dollar Siliziumkarbid in Roznov, Czech Republic. - [ON Semiconductor Corporate Profile](https://en.wikipedia.org/wiki/Onsemi) - Firmengeschichte, Produktionsfläche und Leistungshalbleiter-Produktportfolio für Onsemi. - [Silicon Carbide Materials Science](https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_carbide) - Physikalische Eigenschaften, Hochvolt-Ausfallwiderstand und stromelektronische Wirkungsgrade von Wide-Bandgap SiC Wafer. * Electric Vehicles Mentions: ON Semiconductor, Silicon Carbide, Czech Republic, Electric Vehicles, Semiconductor Manufacturing ## Sources - [Briefs News](https://www.briefs.co/news/on-semiconductor-cancels-up-to-2-billion-czech-expansion/) - [ON Semiconductor Corporate Profile](https://en.wikipedia.org/wiki/Onsemi) - [Silicon Carbide Materials Science](https://en.wikipedia.org/wiki/Silicon_carbide)